南亞科今（21 日）召開 2026 年股東會，董事長鄒明仁認為，記憶體產業以往屬於景氣循環，但因為 AI 需求推升，逐漸改變為「結構性增長」這種型態。
受惠於全球記憶體市場供需結構改善，南亞科 2025 年全年合併營收新台幣（下同）665.9 億元，較去年大幅成長約 95.1%；全年稅後淨利 66.1 億元，淨利率 9.9%，每股盈餘 2.13 元。該公司將於 8 月 6 日發放現金股利總額為 46.5 億元，依私募後總發行股數 34.5 億股計算，每股配發約新台幣 1.35 元。
鄒明仁指出，由於高頻寬記憶體（HBM）及高容量 DDR5 模組等產品，帶動各類 DRAM 價格顯著上揚，南亞科從去年第三季開始轉虧為盈，其中第三季單季獲利達 15 億 6,000 萬元；第四季獲利大幅上升到 111 億，展現非常強勁的獲利型態，並預期未來營運狀況將持續優化。
鄒明仁認為，AI 雲端服務業者持續投資，加上 AI 伺服器、邊緣運算應用及終端產品如 AI PC、AI 手機及機器人等方面，都將增加 DRAM 搭載量，帶動需求成長。展望今年，南亞科將持續投資，資本支出將超過 520 億元。
談到南亞科各類應用，鄒明仁表示在伺服器方面，AI 伺服器及一般伺服器對 HBM 及 DDR5 需求將擴大，預期 115 年將持續成長；智慧型手機部分，高階機種搭載高容量 DRAM 已成趨勢，而 AI 智慧型手機的興起，必將提升對高容量 Low Power DRAM 需求；個人電腦部分，整體 PC 的出貨量可能微幅下滑，但 DRAM 搭載量會增加，在 PC 市場 DRAM 需求也會成長；消費性電子部分，隨著網通產品市況逐漸穩健，高價消費型產品需求暢旺，可能縮減低價產品占比。
製程及產品布局部分，10 奈米級第二世代製程技術（1B）已量產 16Gb DDR5、8Gb DDR4 與 4Gb DDR4 產品；後續將推出 16Gb DDR4、8Gb/16Gb LPDDR5及LPDDR4 等產品。10 奈米級第三世代（1C）製程部分，16Gb DDR5 預計下半年完成驗證；第四世代（1D）製程技術 16Gb DDR5，預計第二季導入試產。
目前結合矽穿孔（TSV）製程技術開發的 128GB DDR5 RDIMM 5600/6400 Mb/s 伺服器用產品，已通過功能性測試。鄒明仁表示，會與合作夥伴開發高效能、低功耗的客製化超高頻寬記憶體，目前已有營收貢獻，明（2027 年）上半年增加營收。
南亞科將持續推進 1C、1D、1E 等先進製程技術的自主開發，透過既有產品微縮提升整體競爭力，同時布局高容量、高速產品組合，以因應低中高階容量市場需求。鄒明仁指出，新事業布局方面，公司將積極開發客製化記憶體、超高頻寬記憶體等產品，並進一步擴大量產與銷售規模；產能規劃方面，則將加速 5A 新廠擴建，以支援後續成長需求。
（首圖來源：科技新報）
科技新報粉絲團
加入好友
訂閱免費電子報
