800V HVDC 架構興起，第三代半導體需求升溫

隨著 AI 資料中心規模持續擴大，產業競爭已不再只是 GPU 數量與算力高低，更逐漸演變成「每一度電能產生多少 AI 算力」的效率競賽。嘉晶指出，當單一資料中心用電規模朝數百 MW 甚至 GW 等級發展時，如何降低電力轉換過程中的能量損耗，已成為 AI 基礎建設的重要課題。

從近期市場關注的 800V 高壓直流（HVDC）架構，到碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）等化合物半導體技術，都被視為提升能源效率的重要關鍵。

在 SEMI 舉辦的功率半導體論壇中，嘉晶表示，傳統資料中心從電網到 GPU 之間需經過多次電力轉換，每個環節都會產生能量損耗，而損失的電能最終大多轉變成熱能，還需要透過空調、液冷等散熱系統額外消耗電力進行降溫。

對於電力受限的 AI 資料中心而言，嘉晶舉例，若整體電力轉換效率提升約 10%，便有機會在相同供電條件下部署更多 GPU，進一步提高 AI Token 產出能力。因此，降低電力損耗、提升能源使用效率，已成為下一代 AI 基礎建設的重要發展方向。

嘉晶表示，隨著 AI 基礎建設規模持續擴大，市場對高效率功率元件的需求同步提升。目前產業正朝向 800V HVDC 架構發展，以減少電力轉換層級並降低傳輸損耗，而 SiC 與 GaN 正是支撐新一代電力架構的重要核心材料。

其中，GaN 適合高頻、高效率電源轉換應用，SiC 則在高電壓、大功率領域具備優勢，可望廣泛應用於 AI 資料中心、電動車、人型機器人、低軌衛星及工業電源等市場。

另一方面，嘉晶 12 日召開股東常會，董事長徐建華表示，受惠 AI 基礎建設、生成式 AI 及 AI Agent 快速發展，高效能運算、電源管理與高速傳輸需求同步升溫，公司矽磊晶、化合物半導體及矽光子三大事業體皆可望受惠。

其中，化合物半導體已陸續切入國際客戶供應鏈；矽光子方面，鍺矽（GeSi）磊晶產品已進入放量階段，預估 2026 年底營收占比可望達 5%，並有機會在 2027 年迎來倍數成長。

（首圖為示意圖，來源：pixabay）