需求增 三菱化學／JSW 傳擴增 GaN 產能 5 成

因應需求增加，三菱化學（Mitsubishi Chemical）、日本製鋼所（The Japan Steel Works，JSW）傳計劃將氮化鎵（GaN）產能擴增 5 成。

日經新聞7日報導，三菱化學、JSW將擴增使用於次世代功率半導體基板的GaN產能，目標在2027年將產能擴增5成（和2026年相比），開拓來自電動車（EV）、資料中心電源的需求。

三菱化學、JSW正攜手研發功率半導體用GaN基板。和傳統材料「矽」相比，GaN能承受更高的電壓，而和碳化矽（SiC）相比，GaN具備高速控制電流、抑制電力損耗等特性。

報導指出，三菱化學、JSW已在今年4月將基板、晶種（Seed Crystal）產能提高至2021年度的2倍，之後計劃在2027年4月進一步擴增至2021年度的3倍（即和2026年相比增加5成）。

據報導，使用GaN的高性能功率半導體，預估今後來自EV快速充電器、逆變器以及資料中心電源的需求將擴大，目前三菱化學/JSW 4吋基板仍處於客戶驗證階段，不過需求增加，因此決定進一步擴增產能，且目標在2026年度開始提供6吋、2028年度提供8吋基板樣品。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：三菱化學）