在全球半導體技術封鎖的背景下，中國設備自製化邁出了關鍵的一步。根據外媒 The Information 報導，一家未具名的中國國家支持企業已經成功製造出深紫外光微影設備（DUV）。而在這波技術突破中，剛經歷歷史性掛牌上市的中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT），已於 8 月份正式進入中國半導體業者的優先採購名單，將獲得首批國產的 DUV 設備。
Information的報導指出，該中國企業所製造的是28奈米DUV，儘管有部分關鍵零組件仍需仰賴自日本進口，但絕大多數零件已成功實現國產化。在產能規劃方面，該企業計劃在2026年生產5台DUV設備，並於2027年將產能提升至20台。
而針對中國國產DUV設備，長鑫存儲與中芯國際（SMIC）、華虹半導體等中國晶圓代工大廠並列，成為首批獲得此批國產設備的企業。此舉凸顯了北京當局對這些半導體核心實體的高度重視，同時也有效反制了美國意圖阻止中國企業購買或維修西方DUV設備的 MATCH 法案，為中國本土半導體產業鏈提供了堅實的後盾。
事實上，長鑫存儲近期的IPO引發投資人的空前狂熱，交易首日收盤時，其股價漲幅竟高達近500%。而長鑫存儲計畫利用這筆龐大的新資金進行激進的產能擴張，目標在2026年年底前，將現有每月約20萬片晶圓的產能，大幅拉升至每月30萬片。
此外，長鑫存儲目前正同步在上海與合肥兩地建設兩座全新的晶圓廠，未來完工後，其總產能將倍增至每月60萬片晶圓的驚人規模。業界預期，若能維持此等擴張力道與速度，長鑫存儲有望在2030年於量產規模上正式超越全球記憶體巨擘美光（Micron）。
在製程技術上，長鑫存儲已在G5製程節點上成功量產1a DRAM。然而，面對無法取得最先進極紫外光（EUV）設備的困境，長鑫存儲選擇改變技術路徑，放棄單純追求縮小水平節點的傳統做法，將研發重押於下一代的 3D DRAM 技術。透過將記憶體單元進行垂直堆疊，公司能在不微縮水平節點的情況下，最大化原始位元密度與整體儲存容量。
在具體技術實作上，長鑫存儲利用氟化氬（ArF）浸潤式DUV系統蝕刻多個水平特徵層，並透過混合鍵合技術將其垂直堆疊。為了將DUV設備的潛力發揮到極致，公司導入了設計與技術協同最佳化（DTCO）技術，將其與多重曝光技術結合，有效降低了在複雜製程中日益嚴重的製程變異與邊緣放置誤差（EPE）。
同時，長鑫存儲也研發出獨家的3D DRAM單元結構，包含垂直環繞式閘極（GAA）字元線，並結合水平電容器與位元線，此創新結構能大幅減少列錘擊現象所帶來的干擾。長鑫存儲目前已在合肥的試驗產線上，積極測試用於下一代高密度DRAM的晶圓對晶圓（W2W）混合鍵合技術，並已與高通（Qualcomm）及兆易創新（GigaDevice）等企業展開合作，專為智慧型手機中的本地端人工智慧神經處理單元（NPU），量身打造客製化的3D DRAM解決方案。
就在中國國產DUV量產的消息一出，隨即引發全球半導體設備龍頭艾司摩爾（ASML）於7月28日在美股市場遭遇沉重賣壓，盤中股價跌幅一度深達8.2%。然而，市場分析師指出，投資人對於此項競爭消息的恐慌似乎有過度放大之嫌。因為，從產業基本面來看，ASML對中國市場及傳統DUV設備的依賴度正顯著降低。數據顯示，DUV占ASML總營收的比例已從2024年的44%下降至上一季的29%；對中國市場的銷售佔比更從2024年的41%驟降至上一季的僅14%，且此下滑趨勢預期將持續。
此外，受惠於全球AI熱潮的帶動，中國以外地區對各類晶片與DUV設備的需求正大幅飆升。ASML目前每年即具備生產130台DUV設備的龐大產能，為因應強勁需求，管理層更計劃在2027年將產能提升30%，並於2028年再進一步增加30%。相較於中國新興企業2026年預計生產5台、2027年目標20台的有限產出，這家新興的中國對手在未來的幾年內，在產能與技術上仍難以對ASML構成實質威脅。
(首圖來源：長鑫存儲)
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