韓媒:輝達疑煽動三星、SK 海力士競爭,壓價 HBM

作者 | 發布日期 2024 年 05 月 03 日 12:45 | 分類 國際貿易 , 記憶體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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韓媒:輝達疑煽動三星、SK 海力士競爭,壓價 HBM

韓媒傳出,輝達(Nvidia Corp.)似乎故意煽動三星電子(Samsung Electronics)、SK 海力士(SK hynix)彼此競爭,看看能否順勢壓低高頻寬記憶體(HBM)的價格。

BusinessKorea 2日報導,國際報告顯示,第三代的「HBM3 DRAM」報價自2023年以來已飛漲超過5倍。對輝達來說,關鍵元件HBM報價上升,勢必會影響研發成本。

報導稱,謠傳輝達刻意洩漏消息,引發現任與潛在供應商相互競爭,以期壓低HBM價格。4月25日,SK集團董事長崔泰源(Chey Tae-won)匆匆前往矽谷跟輝達執行長黃仁勳(Jensen Huang)會面,似乎跟這些策略有關。

雖然過去一個多月來,輝達一直在測試三星領先業界開發出的12層堆疊HBM3E,卻遲未表明合作意願。市場解讀,這是一種策略,目標是激勵三星電子。三星最近才剛宣布,第二季起將開始量產12層堆疊的HBM3E。

SK海力士執行長郭魯正(Kwak Noh-Jung)甫於5月2日表示,2025年的AI晶片組用HBM幾乎全數售罄,2024年的供應也已全部訂光。他當時說,12層堆疊的HBM3E將在5月送樣,預計第三季開始量產。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:SK 海力士

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