SK 海力士計劃斥資 40 億美元,在印第安納州建先進封裝廠

作者 | 發布日期 2024 年 03 月 27 日 10:58 | 分類 半導體 , 封裝測試 , 記憶體 line share follow us in feedly line share
SK 海力士計劃斥資 40 億美元,在印第安納州建先進封裝廠


SK 海力士計劃在印第安那州西拉法葉( West Lafayette)建造一座價值 40 億美元的先進晶片封裝廠,預期 2028 年投入營運,創造多達 1,000 個工作崗位。此舉可能獲得州和聯邦稅收減免的支持。

據《華爾街日報》、Tom’s Hardware 報導,SK 海力士這次投資是為了提升先進晶片封裝能力,尤其對高頻寬記憶體(HBM)製造更加重要。SK 海力士發言人透露,公司正審查在美國先進晶片封裝投資,但尚未做出最終決定。

考慮建廠資本支出可能達 40 億美元,若該專案實行,將成為全球最大先進封裝工廠之一,因此政府支持相當重要,目前預期美國可能提供州和聯邦稅收優惠政策。

SK 海力士是 Nvidia 的 HBM 記憶體供應商之一,最近新產品 Nvidia Blackwell B200 每個 GPU 將使用 8 個 HBM3e 晶片,凸顯 SK 海力士在人工智慧產業關鍵部件供應鏈中的作用。

美國晶片法案(CHIPS and Science Act)最近向英特爾提供 85 億美元直接政府資助,提高美國半導體產業競爭力;SK 海力士計劃在印第安那州建廠是一項重大進展,有助美國半導體產業的發展和恢復。

然而,美國政府補助晶片製造和封裝專案速度一直相當緩慢,SK 海力士目前更像是意向聲明,而非最終交易,至於是否進入建設階段還有待觀察。

(首圖來源:shutterstock)

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