ASML 新任執行長 Christophe Fouquet 出席 SPIE 大會，並在會議上發表演講時，重點介紹了 High NA EUV 曝光機。然後，Christophe Fouquet 也確認，英特爾的第二套 High NA EUV 曝光機已經組裝完成。
Christophe Fouquet表示，High NA EUV 曝光機將不太可能像當前標準 EUV 曝光機那樣出現延遲交貨的情況，其原因是 ASML 找到了組裝掃描器子組件的新方法，就是直接在客戶工廠安裝，無需經歷拆卸及再組裝的過程，這將大大節省 ASML 與客戶之間的時間和成本，有助於加快 High NA EUV 曝光機的發貨和交貨。
在Christophe Fouquet 後緊接上臺的是英特爾院士兼曝光技術總監 Mark Phillips，他表示英特爾已經在波特蘭工廠完成了兩套的 High NA EUV 曝光系統的安裝。而且，Mark Phillips 還公佈了一些的資料，說明了相對於標準 EUV 曝光機所帶來的改進，透過 High NA EUV 曝光機應用出來的改善結果可能要比之前想像中還要多。
Mark Phillips 強調，由於已經有了經驗，第二套 High NA EUV 曝光系統的安裝速度比第一個還要更快。據稱，High NA EUV 曝光設備所需的所有基礎設施已經到位並開始運行。用於 High NA EUV 曝光的光罩檢測工作已經按計畫開始進行。因此，英特爾無需做太多輔助支援工作即可將其投入生產。
另外，Mark Phillips 還被問到了關於 CAR（化學放大抗蝕劑） 與金屬氧化物抗蝕劑的問題。他的說法是 CAR 目前還夠用，但可能在未來某個時候需要金屬氧化物光阻劑。英特爾目標是要 Intel 14A 製程技術能在 2026~2027 年量產，屆時將製程技術進一步進行提升。
(首圖來源：英特爾)
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