SK 海力士率先推出 HBM3e 16hi 產品,推升位元容量上限

作者 | 發布日期 2024 年 11 月 14 日 14:10 | 分類 半導體 , 封裝測試 , 記憶體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
SK 海力士率先推出 HBM3e 16hi 產品,推升位元容量上限


SK 海力士近日於 SK AI Summit 2024 活動揭露開發中 HBM3e 16hi 產品,每顆 cube 容量為 48GB,2025 年上半送樣。TrendForce 最新研究,新產品潛在應用包括 CSP 自研 ASIC 和一般用途 GPU,有望 HBM4 世代量產前,提早於 HBM3e 世代推升位元容量上限。

TrendForce表示,HBM供應商以往在各世代皆推出兩種不同堆疊層數的產品,如HBM3e世代原設計8hi及12hi,HBM4世代規劃12hi及16hi。各業者預定2025年下半後陸續投入HBM4 12hi下,SK海力士選擇HBM3e追加16hi產品,可歸因以下背景:

首先,台積電CoWoS- L封裝尺寸2026和2027年擴大,每SiP(系統級封裝)可搭載HBM顆數也增加,但之後升級仍面臨技術挑戰和不確定性。生產難度更高的HBM4 16hi量產前,可先提供客戶HBM3e 16hi為大位元容量產品選擇。以每SiP搭載八顆HBM計算,HBM3e 16hi可將位元容量上限推進至384GB,較NVIDIA Rubin的288GB更大。

從HBM3e進展到HBM4世代,IO數翻倍帶動運算頻寬提高,升級造成晶粒尺寸放大,但單顆晶粒容量維持24Gb。HBM3e 12hi升級至HBM4 12hi時,HBM3e 16hi可為提供低IO數、小晶粒尺寸和大位元容量的選項。

TrendForce表示,SK海力士HBM3e 16hi將採Advanced MR-MUF堆疊製程,和TC-NCF製程相比,MR- MUF產品更容易達高堆疊層數及高運算頻寬。HBM4及HBM4e世代皆預設16hi產品,SK海力士率先量產HBM3e 16hi,能及早累積堆疊層數量產經驗,加速之後HBM4 16hi量產時程。SK海力士後續也不排除再推出混合鍵合(hybrid bonding)製程版16hi產品,以拓展運算頻寬更高的應用客群。

(首圖來源:SK 海力士)

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