為因應用於人工智慧（AI）半導體需求大幅成長，SK 海力士、三星以及美光都加大了在高頻寬記憶體（HBM）領域的開發力道，加速推進第六代 HBM，也就是 HBM4 產品的開發。隨著 HBM 的改朝換代速度加快，第七代 HBM 產品 HBM4E 的開發也出現在發展計畫上。
日前，美光分享最新 HBM4 和 HBM4E 開發，HBM4 有望 2026 年量產，HBM4E 也會在 2027~2028 年亮相。這些 HBM 產品除了更高資料傳輸速度，HBM4E 還採客製化基礎晶片，代表產業模式轉變。
美光總裁兼執行長 Sanjay Mehrotra 表示，HBM4E 將帶來記憶體業務的模式轉變，其因為採用了台積電先進的邏輯代工製程技術，為某些客戶客製化邏輯基礎晶片，這預計將能帶美光業績表現的改善。
暫時不清楚美光基礎晶片設計，除了基本功能還會有什麼功能。市場預期，美光新基礎晶片有增強暫存、為特定應用程式（如 AI、HPC、網路等）量身訂做的自行定義介面協議、記憶體到記憶體傳輸功能、可變介面寬度、先進電壓縮放和供電控制，以及自行定義 ECC 與安全性演算法等。由於涉及標準問題，也不清楚 JEDEC 標準是否支援此類客製化內容。
美光表示，HBM4E 開發順利，已與多客戶合作，預期會採不同基礎晶片和配置，達成客製化設計的目標。美光 HBM4E 還能支援 Marvell 客製化 HBM 運算架構，以便更客製化各種 XPU 和 HBM 解決方案。
美光 HBM4 採第五代 10 奈米 1b 製程，預計用於輝達 Rubin 和 AMD Instinct MI400 系列 GPU，相較競爭對手 SK 海力士和三星都傾向更先進第六代 10 奈米 1c 製程，市場競爭優勢有待考驗。
(首圖來源：shutterstock)
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