韓媒：長鑫存儲 DDR5 良率可能僅 10%~20%

韓媒傳出，中國記憶體領導製造商長鑫存儲（CXMT）雖已開始量產先進的 DDR5 記憶體，但良率可能僅 10%~20%。

BusinessKorea 24日報導，半導體業界觀察人士相信，受美國禁止極紫外光（EUV）微影設備等先進半導體裝置販售至中國影響，長鑫存儲生產DDR5的良率很可能只有10%~20%。ASML執行長Christopher Fokker解釋，「中國先進製程約落後10~15年」。

眾所皆知，中國已用主動開發材料、元件等方式本地生產數種設備，但業界普遍認為，中國降低成本、價格競爭力方面嚴重落後，主要是受生產力與良率影響。業界消息人士指出，「雖然中國半導體廠安裝的設備外觀看來是美國製，但維修時零件多是本土產仿製品」。

川普（Donald Trump）上任後預料會實施嚴厲的出口管制及高關稅來抑制中國DRAM產業。市場猜測，雖然拜登政府排除長鑫存儲，但川普可能會再納入制裁名單。

韓國半導體產業協會（Korea Semiconductor Industry Association，KSIA）執行董事Ahn Ki-hyun認為，三星電子（Samsung Electronics）須盡快瞄準長鑫存儲目前還無法挑戰的市場，韓國企業也需快速轉進第五代高頻寬記憶體「HBM3E」或第六代「HBM4」。

中國儲存製造商金百達（KingBank）、光威（Gloway）17日推出容量32GB的DDR5產品。這些企業將DRAM晶片組裝成模組，供PC與伺服器使用，並以「內建中國製DDR5晶片」廣告詞銷售。

金百達、光威雖未透露供應商，但線上產品文件表明，長鑫存儲是晶片製造者。業界人士也確認，長鑫存儲開始接洽潛在客戶，還聲稱良率達80%，接近韓國對手的80%~90%。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：長鑫存儲）