韓國記憶體大廠三星宣佈，計劃於 2025 年第一季末向主要客戶供應增強型的第五代高頻寬記憶體 （HBM） 產品 HBM3E。該計畫是該公司提昇在競爭激烈的半導體產業中地位的廣泛策略一部分，三星還計劃在 2025 年下半年大規模生產第六代 HBM4。然而，由於美國對先進半導體的出口管制，使得該三星面臨挑戰，預計出口限制措施將在第一季使 HBM 產品的銷售受到暫時性的衝擊。
根據 BusinessKorea 的報導，三星日前財報會議上透露，儘管低於先前的預估，但是其 2024 年第四季的 HBM 銷量仍較上一季成長了 1.9 倍。該公司將這些波動歸因於地緣政治問題和 HBM3E 增強型產品計劃的準備。三星指出，繼 2024 年第三季量產 HBM3E 的 8 層和 12 層堆疊產品後，在第四季擴大了對多家 GPU 供應商和資料中心客戶的 HBM3E 供應，導致 HBM3E 銷量超過了 HBM3 銷量。
另外，三星也預計 HBM3E 增強型產品的供應量將從第二季開始大幅增加，這使得三星預計在 2025 年將 HBM 位元總供應量較上一年增加一倍，以展現其致力於滿足客戶不斷變化的需求的承諾。三星強調，受到美國政府宣佈的先進半導體出口管制的影響，預計主要客戶對現有產品的需求將轉向增強型產品，進而導致 HBM 出現暫時的需求缺口。不過，在第二季之後，客戶需求預計將比之前預期的更快地從 8 層堆疊產品轉移到 12 層堆疊產品上。
三星強調，雖然目前預計客戶對 HBM3E 的 16 層堆疊產品尚無商業化需求，但三星已生產了 16 層堆疊技術的樣品，並交付給主要客驗證中。至於，採用 10 奈米級的 1c 製程技術來量產的 HBM4 正在按開發計劃進行中，目標是在 2025 年下半年開始量產。
而為了應對預期的 DDR4 和 LPDDR4 供應過剩，三星計劃在 2025 年將兩項產品的銷售佔比，從 2024 年初的 30%，大幅降至個位數。該公司也正在加速向 NAND Flash 的 V8 和 V9 轉移，以確保長期的產品競爭力，並擴大伺服器大容量 QLC 規格的產品銷售比例。
(首圖來源：官網)
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