
英特爾在 ISSCC 2025 介紹備受期待的 Intel 18A,強調 SRAM 密度重大改進,位元尺寸從 Intel 3 的 0.03μm² 縮小到 0.023μm²,HDC 也顯示類似改進,縮小到 0.021μm²。台積電 N5、N3B 和 N2 製程 SRAM 位元大小分別為 0.021μm²、0.0199μm² 和 0.0175μm²。
英特爾更新 Intel 18A 資訊,說 Intel 18A 做好生產準備,上半年投片,如果想了解更多資訊,請聯絡英特爾。
英特爾認為 Intel 18A 是先進半導體製程轉捩點,除了 SRAM 密度追上台積電,每瓦性能提高 15%,晶片密度比 Xeon 6 系列處理器 Intel 3 高 30%。英特爾結合 GAA 電晶體架構,導入 PowerVia 背後供電,是英特爾解決處理器邏輯區域電壓下降和干擾的首選方案。
已知英特爾 Intel 18A 主要產品有自家 Panther Lake(AI PC 處理器)和 Clearwater Forest(伺服器處理器)。外部代工客戶有亞馬遜 AWS 和微軟 Azure,英特爾將為客戶客製化晶片,博通也規劃 Intel 18A 晶片設計。
(首圖來源:英特爾)