
晶圓代工龍頭台積電在 2025 年 3 月時宣布,計劃增加 1,000 億美元投資於美國先進半導體製造,其中包括了 3 座新建晶圓廠、2 座先進封裝設施以及 1 間主要的研發中心。而在過去幾個月裡,台積電已經加快了美國亞利桑那州鳳凰城 Fab 21 的興建進度,已開工興建了第 3 座晶圓廠。
對此,根據 ComputerBase 報導,台積電計劃在 Fab 21 附近建造兩座專用建築,在當地提供先進封裝服務。首個先進封裝設施 AP1 計畫 2028 年開始興建,與 Fab 21 的第三階段間建計畫同步,可以為 N2 及更先進的 A16 製程技術服務。第二座先進封裝設施 AP2將 與 Fab 21 的第四/五階段同步,但是還沒有具體的動工日期。
至於,兩座先進封裝設施將專注於 CoPoS 和 SoIC 封裝技術。其中,CoPoS 先進封裝將使用 310×310 mm 的矩形面板取代傳統的圓型晶圓,也就是將 CoWoS「面板化」,將晶片排列在方形的「面板 RDL 層」,取代原先圓形的「矽中介層」(silicon interposer),透過「化圓為方」提升面積利用率與產能。
而 SoIC 先進封裝技術則是在運算核心下方堆疊暫存或記憶體晶片,這一技術已經在 AMD Ryzen X3D 處理器中得到了驗證。台積電計畫在 2026 年啟動 CoPoS 測試生產工作,目標 2027 年末完成與合作夥伴之間的驗證工作,以保證贏得包括輝達、AMD 和蘋果在內主要客戶的訂單。
報導指出,由於 AP1 預計要到 2029 年末或 2030年 初才能開始投入運營,這就與台積電的交貨時間慣例保持一致。
(首圖來源:台積電)