韓媒:三星考慮解散 1c DRAM 專案小組,良率未過半仍推進 HBM4 量產

作者 | 發布日期 2025 年 10 月 15 日 13:30 | 分類 AI 人工智慧 , Samsung , 半導體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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韓媒:三星考慮解散 1c DRAM 專案小組,良率未過半仍推進 HBM4 量產

根據朝鮮日報報導,三星電子內部正討論解散負責 1c DRAM 良率優化的專案小組(TF),將人力與資源全面轉向 HBM4 量產準備,力拚在年底前打入 NVIDIA 供應鏈,重奪高階記憶體市場的主導權。

三星此次採用更先進的 1c DRAM 做為 HBM4 的核心晶片(Core Die),理論上可實現更高頻寬與能源效率。不過外界報導指出,其在「冷測」(Cold Test)階段的良率僅約 35% 至 50%,仍低於量產標準。由於 1c 製程線寬進一步縮小,製程控制誤差的容忍度低於 1b 世代,微影與蝕刻難度大幅提升。

相較之下,根據先前韓媒報導,SK 海力士完成 HBM4 量產準備,採用成熟的 1b 製程與 MR-MUF 封裝方案,良率據估超過 70%,已達量產獲利門檻。

TF 團隊成立於副會長全永鉉上任後,集合記憶體事業部的核心工程師,原本專注於 1c 製程的穩定性與良率提升。但在新時程壓力下,三星似乎決定跳過內部量產批准(PRA)程序,直接投入 HBM4 量產體系的建構。

業界分析指出,即使良率未達理想,三星也要憑藉世代差與性能優勢突圍。熟悉內情人士透露,三星內部寧可犧牲短期效率,也要在 HBM4 成為新標準前搶回技術主導權。

根據 Counterpoint Research 統計,今年第二季全球 HBM 市占率為 SK 海力士 62%、美光 21%、三星僅 17%。這是三星首次落居第三。分析認為,若無法在短期內穩定 HBM4 量產良率,市占差距恐進一步擴大。

隨著 AI 訓練需求推升 HBM 需求量倍增,業界普遍預期 HBM4 將成為 2025 之後最具關鍵的記憶體戰場。能否率先掌握量產節奏,將決定全球記憶體格局的重新洗牌。

(首圖來源:Samsung

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