記憶體大廠華邦電總經理陳沛銘表示，受惠於終端需求復甦、新製程推進，以及記憶體市場因技術迭代帶來的結構性供需失衡，華邦電 DRAM（CMS）業務創下過去三年的新高點。公司對第四季（4Q）及未來長期的成長前景表示樂觀，預期營收、出貨量（Shipment）和平均銷售價格（ASP）都將迎來更大幅度的成長，並回歸到正常的成長軌道。
陳沛銘指出，華邦電子第三季在DRAM和Flash業務上，較第二季表現均有所成長。其中，DRAM業務較第二季增加達18%，較2024年同期增長更高達33%，這已是DRAM業務在過去三年中的最高點。儘管年增率來看，DRAM的ASP仍有約十幾個百分點的跌幅，但公司先前預告，DRAM業務的最低點已經過去，目前正持續往上走。而在製程推進方面，20奈米製程已成為主要的成長動能，其出貨量占總交貨量的比例已達37%。20奈米產品線中，DDR4表現尤其亮眼，上季出貨量季增一倍（double），預計下一季占比將持續提高。20奈米是華邦首度跨入DDR4領域的製程，表現不俗。
至於，Flash（NFlash/NOR Flash）業務較第二季成長約4.2%。然而，較2024年同期則是下滑5.8%。Flash業務的後段生產仍面臨挑戰，雖然生產瓶頸已部分打開，但仍無法完全滿足交貨需求，導致成品庫存幾乎用罄，但仍在製品或半成品庫存量較多，未能及時交貨。Flash業務的ASP也呈現年增下跌的情況。
陳沛銘指出，在NOR Flash方面，華邦持續是全球第一的供應商。最新的F45奈米製程是公司No Flash中最先進的製程，亦可能是業界最領先的技術。F45製程的晶粒尺寸（die size）最小，使其得以打入過去F58無法進入的高要求應用，例如TWS（真無線藍牙耳機）。TWS功能日益複雜，對Flash密度需求大增，甚至接近一台PC的需求，F45的小尺寸優勢能滿足其對外形尺寸（Form Factor）的要求。
而SLC NAND需求被重新刺激，在NAND Flash方面，SLC 是公司做核心存儲的關鍵產品，與一般資料儲存不同。由於主流大廠將生產重心轉向多層次儲存並將SLC優先級降低，導致SLC的供應缺口出現。華邦電是SLC的重要供應商，此業務年成長超過20%，預計未來SLC的價格上漲將是正常現象。陳沛銘也同整了包括汽車與工業、通訊、消費電子、電腦四大應用領域的成長動能，加上新興應用如Smart Home（掃地機器人、無人機）需求也日益強勁，華邦電可利用其在LPDDR4和NAND的組合優勢來滿足這部分需求。
陳沛銘強調，當前記憶體市場正在經歷一場結構性且重大的變革。主要的結構性問題在於DRAM的技術標準與先進製程的衝突。傳統的DDR3和DDR4標準在制定時，並未要求內建ECC（糾錯碼）功能。然而，當全球前三大DRAM供應商將製程推進到14奈米、13奈米甚至更精密的製程時，極小的位元單元容易產生壞軌（bad bits），必須依靠ECC來補償。 由於JEDEC標準不支援DDR3/DDR4在這些先進製程上使用ECC，使得三大廠的新工廠和先進製程無法再回頭生產DDR3或DDR4。 為滿足HBM（高頻寬記憶體）需求並充分利用新製程，這些大廠被迫轉向生產支援ECC的DDR5。這導致DDR4供應出現結構性缺口。
雖然，當前DDR5價格相對較低，試圖推動市場轉換，但許多應用（如舊有伺服器、PC或鎖定特定SoC規格的設備）仍需要持續供應DDR4。因此，許多客戶正積極尋求與能持續供貨DDR4的廠商簽訂數年期的長期合約。華邦電認為，DDR4價格將持續上漲，這場結構性改變將持續一段時間，甚至可能延續到2027年。
最後，關於庫存增加的現象，陳沛銘澄清這主要與會計原則相關的庫存重估有關。過去因售價低於成本，公司必須將高於售價的部分打銷（write-off）。隨著售價回升，過去被打銷的庫存價值正在回沖（write-back），導致帳面上庫存金額增加。實質的庫存數量是略有降低的。公司預計此庫存重估的影響將在第四季結束。 同時，原材料和後段測試的成本持續緊張，對公司的製造成本構成壓力。
陳沛銘總結到，雖然地緣政治衝突和關稅仍是持續性因素，但公司致力於保持最大的供應彈性，以滿足終端客戶的需求。整體來說，華邦電認為，AI是推升記憶體需求的最大動力，這主要體現在對HBM的極強需求。儘管未來AI需求可能出現超額投資（overinvestment），但目前週期仍將持續一段時間，尚未到需要進行大調整的時機。
(首圖來源：視訊截圖)
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