韓媒:SK 海力士計畫 2027 年初前將 1c DRAM 產能翻倍

作者 | 發布日期 2026 年 01 月 29 日 17:55 | 分類 半導體 , 晶片 , 記憶體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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韓媒:SK 海力士計畫 2027 年初前將 1c DRAM 產能翻倍

隨著通用型 DRAM 價格持續走揚,SK 海力士計畫將 1c DRAM 的產量提升至一年前原先規畫的兩倍,以把握 1c DRAM HBM4 帶來的強勁需求。

據韓媒 The Elec 報導,在整體晶圓產能有限的情況下,SK 海力士將更多資源集中在 1c DRAM。該產品不僅可獨立銷售至消費性市場,更是製造高頻寬記憶體(HBM)的關鍵基礎。

消息人士指出,SK 海力士已與多家設備供應商展開洽談,以支撐最新的 1c DRAM 擴產計畫。公司目標在 2027 年初前,將 1c DRAM 月產能提升至 17 萬至 20 萬片晶圓;相較之下,去年 4 月時的規畫僅為 9 萬片,顯示擴產幅度明顯加快。

回顧去年,SK 海力士幾乎每一季都上修 1c DRAM 的產能目標,從去年 8 月先將月產能提高至 12.2 萬片,10 月更進一步上調至 15 萬片。同時,SK 海力士也曾指出,目標在 2028 年底前,將 1c DRAM 的月產能擴大至 27 萬片。

在產線布局方面,SK 海力士計畫於明年將 M16 廠的 1a DRAM 產線轉換為 1c DRAM 生產,另一條 1b DRAM 產線亦將於明年轉作 1c DRAM。競爭對手美光也預期,1c DRAM 將成為今年帶動營運成長的主要動能之一。

目前市場預期,SK 海力士已拿下輝達 HBM4 訂單約 70%,今年仍穩居全球最大供應商地位。此外,SK 海力士亦是微軟 Maia 200 AI 晶片所採用之 HBM3E 的唯一供應商,進一步鞏固在高階記憶體市場的領先優勢。

(首圖來源:科技新報)

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