中國記憶體為何追不上？韓專家看至少「落後五年」：雙方差距還在擴大

隨著中國在記憶體晶片領域的快速推進，引發外界對可能挑戰三星與 SK 海力士等市場龍頭的疑慮，一名資深 DRAM 專家直言，實際的技術差距遠比外界想像更大，不是在縮小，而是可能正在擴大。

東亞大學電機工程系教授 Shim Dae-yong 接受《韓國先驅報》（The Korea Herald）專訪時表示，「差距不是兩、三年。在我看來，至少超過五年。在 DRAM，尤其是先進記憶體領域，中國更可能進一步落後，而不是追趕上來」。

Shim Dae-yong 曾在 SK 海力士服務 26 年，負責核心 DRAM 技術，並在高頻寬記憶體（HBM）早期開發中扮演關鍵角色。他於 2021 年以副總裁身分離開 SK 海力士。

中國面臨結構性限制問題，沒有 EUV 就無捷徑

Shim Dae-yong 表示，從外界來看，中國的進展確實很吸睛，但業內人士的評估則要務實得多。他認為，中國在先進 DRAM 製造上面臨的根本限制，在於無法取得極紫外光（EUV）微影設備，而在 10 奈米級以下的先進製程中，EUV 已成為不可或缺的關鍵技術。

DRAM 製程世代通常從 1x、1y、1z（約 20 奈米以下）推進至更先進的 1a、1b、1c 等 10 奈米級節點。 Shim Dae-yong 認為，「透過多重曝光（multipatterning）確實可以勉強延伸舊設備的壽命，像美光在 1a 節點就做到了。但從 1b 開始，EUV 幾乎是無可避免的。沒有 EUV，中國廠商在結構上就受到限制」。

自 2019 年起，在美國主導的出口管制下，全球唯一 EUV 設備供應商 ASML 已無法向中國企業出售相關設備，使中國在先進製程發展上遭遇重大瓶頸。他認為，長鑫存儲去年 11 月宣布開始量產 DDR5 記憶體，反而凸顯中國發展的侷限性。

外界認為，該 DDR5 產品採用第四代 DRAM 製程（1a），晶片面積也較三星與 SK 海力士的產品更大，水準大致相當於韓系廠商在 2021 年左右出貨的早期 DDR5 產品。

更重要的是，長鑫存儲傳出良率約僅 50%，遠低於商業化所需的 80%～90%，不僅推高生產成本，也降低市場對中國業者可能以低價 DDR5 晶片大量衝擊市場的疑慮。

中國突破口是先進 3D 堆疊技術

Shim Dae-yong 指出，中國最現實的突破口不在持續微縮製程，而是在於先進的 3D 堆疊技術，也就是 HBM 技術基礎，「當平面微縮趨緩後，垂直堆疊的密度就變得同樣重要。理論上，中國可以在不依賴 EUV 的情況下，透過垂直整合來縮小部分差距」。

不過，實務上瓶頸只會轉移到其他環節，尤其是材料與封裝。

HBM 關鍵材料，包括底層填充（underfill）與環氧封裝材料（EMC），目前仍由日本廠商如 Resonac、Namics 等主導。這些材料必須針對不同製程節點進行高度客製化，對良率、熱穩定性與長期可靠性至關重要，即便是韓國晶片大廠，在歷經多年在地化努力後，仍面臨不小挑戰。

Shim Dae-yong 指出，如果無法穩定取得經過最佳化的底層填充和 EMC，3D 堆疊的良率就會變成惡夢，這不是單靠砸錢擴大資本支出就能解決的問題。此外，中國廠商缺乏與全球記憶體龍頭長期累積的協作經驗，這些龍頭與微軟、Google、蘋果、輝達等大型科技公司共同累積的協作經驗，「全球科技巨頭並不是單純『使用』記憶體，而是與供應商共同開發、一起除錯，並在全新系統架構下進行驗證。這些經驗不可能一夕之間複製出來」。

Shim Dae-yong 認為，在頂尖產品中部署記憶體晶片時，缺陷幾乎無可避免，關鍵不在於是否出現問題，而在於供應商能否迅速找出根本原因，在不影響客戶產品時程情況下完成修正。

他強調，「能夠把晶片做出來，只是這門生意的一小部分，真正的挑戰在於提升良率、證明長期可靠度，以及贏得客戶對你作為穩定、長期供應商的信任」。在目前階段，考量到三星與 SK 海力士等成熟供應商的存在，以及中國在品質保證與缺陷處理方面缺乏實績，主流科技公司採用長鑫存儲晶片的可能性非常低。