HBM4 下世代 AI 記憶體大戰，隨三星與美光宣布出貨後正式展開

2026 年 2 月 12 日，記憶體大廠三星電子與美光科技不約而同地宣佈，已開始出貨下一代高頻寬記憶體-HBM4。這款具備更高密度與更快速度的記憶體晶片，被視為驅動下一代 AI 加速硬體的核心動力。而兩家記憶體大廠的宣示，也正式宣告HBM4 AI記憶體的戰爭正式開打。

三星電子於12日正式宣佈 HBM4 進入量產階段，並已向一家未具名的客戶發貨。市場普遍推測，該客戶極有可能是 AI 晶片霸主輝達（Nvidia），因輝達已確認其即將推出的「Vera Rubin」平台將採用此款記憶體。

在技術規格方面，三星揭露了詳盡的數據。這家韓國記憶體大廠表示，其 HBM4 記憶體能提供每秒 11.7 Gbps的穩定處理速度，在特定條件下甚至可提升至 13 Gbps。單一堆疊的總記憶體頻寬更可達到驚人的每秒 3.3 TB（terabytes-per-second）。

除了速度，容量與能效也是此次升級的重點。目前三星提供的 HBM4 容量介於 24GB 至 36GB 之間，並計畫進一步擴充至 48GB。鑑於資料中心散熱問題日益嚴峻，三星強調新產品在熱管理上的突破。與前一代 HBM3E 相較，HBM4 的熱阻增強了 10%，散熱能力提升了 30%。更重要的是，新晶片的能源效率提高了 40%，這意味著運行時溫度更低、耗電更少，有助於減緩資料中心能源消耗的成長速度。

在財務與未來展望方面，儘管三星未透露具體定價，但預測 2026 年 HBM 系列產品的營收將比 2025 年成長三倍以上。此外，三星更預告將在 2026 年下半年出貨更先進的 HBM4E 樣品。

不過，就在三星宣佈消息的前一天，其競爭對手美光科技也釋出了關鍵消息。美光財務長 Mark Murphy 在 Wolfe Research 主辦的一場活動中，針對近期關於美光 HBM4 地位的「不實報導」做出了強勢回應。他透露，美光不僅已開始 HBM4 的大量生產，且已向客戶出貨。

Murphy 強調，美光的 HBM 良率在軌道上，HBM4 的良率也在軌道上。他指出，美光的 HBM4 產品同樣能提供超過 11 Gbps 的速度，公司對產品的性能、品質與可靠性充滿信心。值得注意的是，美光的交付時間比原先預測提早了一季的時間。Murphy 更進一步透露，美光 2026 年所有可生產的 HBM4 晶片皆已預售完畢。受到此消息激勵，投資人反應熱烈，美光股價隨即飆漲近 10%，顯示市場對其搶先量產 HBM4 的高度肯定。

隨著三星與美光相繼亮牌，全球三大記憶體製造商中，僅剩 SK 海力士（SK Hynix）尚未正式宣佈 HBM4 的投產消息，這使得這場記憶體競賽的態勢更加詭譎。

這場競賽的終極目標是供應輝達即將推出的旗艦產品，也就是輝達計畫於 2026 年第二季發布其「Vera Rubin」AI晶片，並已計畫採用三星與 SK 海力士的記憶體。因此，三星此次的量產公告，對於期待輝達最新硬體的用戶，以及希望輝達延續高成長的投資人來說至關重要。

然而，這場高階記憶體的軍備競賽對一般消費者而言可能並非全然是好消息。市場消息指出，為了滿足 AI 應用對高利潤產品（如 HBM4）的需求，三星與其他製造商已將產能轉移。這將導致標準記憶體產品的產能受到擠壓，進而引發價格飆漲。對於一般電腦使用者與非 AI 領域的企業來說，未來恐將面臨記憶體價格上漲的痛苦。

整體來說，在記憶體產業正式跨入 HBM4 時代之後，三星以詳細的技術數據與能效優勢展現肌肉，美光則以提早交付與完售的訂單證明實力。隨著輝達 Vera Rubin 平台發布在即，這場圍繞著 AI 運算核心的供應鏈大戰才正要進入白熱化階段。

(首圖來源：三星)