在 4 月 28 日於首爾舉行的半導體會議上，SK 海力士（SK hynix）宣布其應用於高頻寬記憶體（HBM）的混合鍵合（Hybrid Bonding）技術產量較兩年前有顯著提升。技術領導人 Kim Jong-hoon 表示，公司已完成 12 層 HBM 堆疊的驗證，並且在量產準備方面比過去更加充分。
混合鍵合是一種先進的封裝技術，透過直接連接晶片間的銅墊，省略了金屬凸點或銅柱結構，不僅降低了熱量生成，還顯著提高數據傳輸速度，並允許更薄的堆疊高度。Kim Jong-hoon指出，該技術能實現比現有方法更細的互連間距。
儘管產量有所提升，Kim Jong-hoon也強調經濟可行性仍是當前發展階段的一大挑戰。SK hynix計劃繼續利用其大規模重流模塑填充（MR-MUF）技術來解決這個問題，並表示不僅技術策略重要，價值同樣關鍵。
隨著HBM的演進，堆疊層數不斷增加，製程複雜性急劇上升，推動封裝技術持續創新。HBM封裝技術已從熱壓非導電薄膜（TC-NCF）進展到MR-MUF，最終邁向混合鍵合。每一步都減少了翹曲並提高生產效率。
業界觀察人士預測，混合鍵合技術將於今年下半年或2027年隨著16層HBM產品的商業化逐步推出，這將使SK hynix在HBM競爭中占據有利地位，特別是在AI記憶體需求日益增長的背景下。
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（首圖來源：shutterstock）
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