英特爾先進封裝傳良率衝至 90%，聯電有望搭順風車、出貨看旺

市場消息傳出，英特爾先進封裝良率已衝到 90%，有望成為下一代 AI 資料中心的要角之一。由於聯電與英特爾在先進封裝合作進展顯著，隨著英特爾嶄露頭角，預期也將帶動聯電出貨。

在未來技術布局與策略結盟上，聯電持續積極投資下世代技術。除了與英特爾共同開發 12 奈米製程平台，以確保客戶在 22 奈米之後的技術延續性，並提供美國在地製造選項。

聯電指出，與英特爾於美國合作開發 12 奈米FinFET製程，是聯電推動具成本效益、產能擴張及技術升級的重要策略布局。英特爾已於本年度完成製程技術轉移，順利導入聯電的高效能、低功耗及小晶片面積的12奈米FinFET製程技術，並正加速於亞利桑那廠區進行製程驗證，預計今年完成驗證，明年進入量產，將成為聯電在美國本土的第一個生產基地。

聯電強調，現階段已與超過十家客戶合作先進封裝方案，預期 2026 年會有超過 35 個新的設計定案（tape-out），顯示技術正由技術驗證轉向商業化應用。

提到與英特爾合作的 12 奈米製程進度，聯電表示預計將於 2026 年如期向客戶交付 PDK 與矽智財（IP），目標在 2027 年進入商業化量產並帶來實質營收貢獻。該 12 奈米平台預計將廣泛應用於數位電視、Wi-Fi 連網設備及高速傳輸介面等高階產品線。

（首圖來源：聯電）