中國武漢新芯發展 3D NAND 用飛的？分析師：2018 量產 48 層堆疊
作者 | 發布日期 2016 年 05 月 10 日 14:45 | 分類 晶片 , 會員專區 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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中國武漢新芯發展 3D NAND 用飛的？分析師：2018 量產 48 層堆疊

武漢新芯記憶體生產基地在 3 月正式啟動，目標在 2030 年成為月產能百萬片的半導體巨人，科技新報先前曾發表專文，闡述武漢新芯發展記憶體的難點，不過，現在有花旗分析師認為，武漢新芯 2017 年可完成 48 層 3D NAND Flash 生產驗證，到 2018 年就能量產。

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