800V 還不夠看，東芝研發 1200V SiC 功率元件

隨 AI 資料中心功耗快速攀升，HVDC 供電架構正加速導入，也讓功率半導體需求持續升溫。東芝近日宣布，推出新一代 1200V SiC MOSFET「TW007D120E」，鎖定 AI 資料中心電源與再生能源設備市場，並已開始出貨測試樣品。

隨生成式 AI 與高效能運算（HPC）快速發展，AI 伺服器功耗持續增加，資料中心也開始從傳統交流供電，逐步轉向 800V HVDC 等高壓供電架構，希望降低耗電與散熱壓力。在這樣的趨勢下，負責電力轉換與控制的「功率半導體」重要性也跟著提升。

功率半導體主要應用在 AI 伺服器電源（PSU）、UPS、不斷電系統、電動車與儲能設備中，主要功能是控制高電壓與大電流，降低電力損耗與發熱。

目前常見功率半導體包括 MOSFET、IGBT、SiC（碳化矽）與 GaN（氮化鎵）等。其中，SiC 與 GaN 因具備高效率、高耐壓與低損耗特性，近年開始成為 AI 資料中心的重要技術方向。

東芝表示，TW007D120E 採用自家開發的 Trench Gate（溝槽閘極）結構，可降低導通與切換損耗。相較前一代產品，新產品導通電阻降低約 58%，有助降低 AI 資料中心電源發熱量，提升整體供電效率。產品同時採用支援頂部散熱的 QDPAK 封裝，強化高功率密度環境下的散熱能力。

目前全球 SiC 功率半導體主要廠商包括英飛凌、Wolfspeed、羅姆、安森美 與東芝等。隨 AI 機櫃功耗持續攀升，市場也開始關注新一代電源架構與功率半導體供應鏈發展。

（首圖來源：東芝）