隨著未來 AI 基礎設施將逐步從電訊號互連走向光訊號互連，近期網路掀起有關台積電、英特爾先進封裝路線與技術的論戰，從業界角度觀察，未來在光通訊下，散熱、良率、成本都將是相當重要的一環。
目前市場主流 CPO 架構大多採用外部雷射源（ELS）方案，將雷射器移出高溫封裝區域，放置於系統較低溫的位置，再透過光纖將光訊號導入光學引擎。由於光線需經過光纖、連接器及分光元件傳輸，在過程中會產生大量插入損耗問題。為了補償損耗，企業會使用更高功率的磷化銦（InP）雷射器，但也進一步加劇全球 InP 基板供應壓力。
目前英特爾在基板設計上，考慮採用封裝內建光源。由於光源直接位於封裝內部，也能有效消除外部光纖導入所造成的插入損耗問題。不過，要讓雷射器進入封裝內部，首先必須解決高溫環境下的穩定性問題，目前業界也在觀察量子點雷射（QD Laser）能否成為具潛力的解決方案。
由於量子點雷射的效能高度依賴奈米晶體尺寸與均勻度，因此磊晶製程扮演關鍵角色。目前 IET-KY 正積極研發量子點雷射磊晶技術。
根據《科技新報》報導，相比 MOCVD， IET-KY 擁有的 MBE 技術在精準度與自組裝控制上都更適合 QD 雷射。一旦該技術發展，AI 光互連的成本曲線與擴展效率有機會改變，幫助光通訊繼續發展。
針對近期 InP 缺料問題，董事長高永中表示，公司目前採取自備 InP 基板與客戶提供基板並行模式，由公司負責磊晶生產，同時客戶也已逐步接受不同基板廠商認證，將持續與主要供應商及客戶合作，爭取更多基板貨源，以支撐後續 AI 光通訊訂單出貨。
IET-KY 去年宣布與光通訊廠光聖將透過股份交換方式深化雙方策略合作關係，攜手搶食次世代的共同封裝光學（CPO）商機。IET-KY 表示，透過與光聖策略合作深化產業垂直整合，公司能直接掌握終端元件及系統對磊晶材料的規格需求，縮短研發週期、加速產品開發、快速進入市場。
（首圖來源：shutterstock）
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