長鑫存儲上市募資 579 億人民幣！推進下一階段 DRAM 與產能布局

長鑫存儲今（16 日）在上海科創板掛牌上市，募資 579 億人民幣，資金將投入 G5 製程、HBM3 研發及產能擴建。以每股 8.66 元人民幣發行價計算，長鑫存儲市值約 800 億美元，與全球主要 DRAM 供應商 SK 海力士及美光相比仍有差距。

調研機構 TrendForce 最新記憶體價格調查，預期第三季 server DRAM 合約價將季增 13-18%。然而，隨著供不應求格局延續，後續仍可能出現各原廠競相上修報價的情況。

根據 TrendForce 追蹤 HBM 及 conventional DRAM 的單片晶圓產值（依晶粒尺寸、良率及每Gb價格估計），HBM 單片晶圓產值已於 2026 年第一季遭 DDR5 64GB RDIMM 反超，而 HBM 之利潤率亦因此於 2026 年第一季起低於 DDR5 64GB RDIMM。

TrendForce 指出，原廠將視 HBM 談判的價格水準，調節 HBM 與 conventional DRAM 間的產能配置，確保 HBM 可作為 AI 訓練及推論基礎建設核心零組件，持續驅動 AI 生態系的發展，並同步帶動 RDIMM、server LPDDR 乃至邊緣裝置所需 conventional DRAM 的全面需求。

另一間調研機構 Counterpoint Research 則預期，長鑫存儲目前約占全球 DRAM 位元（bit）出貨量 9%，2028年可望提升至約11%；若要建立長期競爭力，市場占有率仍需進一步提升至約15%。

目前長鑫存儲計畫 2030 年前將產能擴增至目前兩倍、2035 年前提升至三倍，未來市場影響力可望持續提升。此外，該公司亦積極發展新一代記憶體技術，其技術進展及市場布局將成為未來重要觀察重點。

Counterpoint Research 研究總監 MS Hwang 表示，目前市場關注的焦點，在於長鑫存儲上市後是否將帶動市場重新評價其價值，或反映 DRAM 產業正處於景氣循環高點。雖然長鑫存儲與國際領導廠商仍存在明顯差距，但此次 IPO 帶來的大規模資金挹注，有助於提升未來競爭力，市場將持續關注其縮小差距的速度。

Counterpoint Research 副總裁及共同創辦人 Neil Shah 表示，長鑫存儲近期市占率持續提升，加上 HBM 產品布局、全球市場拓展及其他市場因素，使公司具備一定成長潛力。不過，美國持續收緊出口管制，以及 HBM 產品仍需驗證大規模量產能力，仍是未來發展的重要變數。

（首圖來源：長鑫存儲）