根據外資大摩（Morgan Stanley，摩根士丹利）的最新大中華區半導體產業報告指出，儘管近期市場對於記憶體週期、雲端服務供應商自由現金流以及中國市場記憶體拋售潮感到擔憂，導致成熟記憶體族群股價面臨下修。但大摩指出，DDR4 與傳統快閃記憶體在第三季的價格漲勢不僅未歇，反而展現出前所未有的定價能力。
針對第三季的記憶體報價，研調機構 TrendForce 原先預估常規 DRAM 混合價格季增率約落在 13-18%，NAND 價格則預估季增 10-15%。然而，大摩提出了更為樂觀的預期。報告指出，雲端服務供應商（CSP）展現出為 DDR4 支付更高價格的意願，甚至試圖與供應商簽署為期一到兩年的保障數量長約（LTA）。受此帶動，大摩預估 DDR4 價格在第三季有望達成每月20%以上的漲幅，這意味著第三季整季的價格季增率將「至少達到30%」。
除了 DRAM，傳統 NAND 與 NOR Flash 的表現同樣亮眼。大摩預期，第三季 SLC/MLC NAND 的價格將大幅季增 50-60%，而 NOR Flash 的價格也將迎接 30-40% 的季增長。
近期中國記憶體大廠兆易創新（GigaDevice）曾發布公告警告，利基型記憶體產品未來可能面臨大幅價格下滑。對此，大摩分析師解讀，這較可能屬於「長期趨勢」的預警，而非短期內會發生的現象。報告強調，目前在 DDR4、SLC/MLC NAND 以及 NOR Flash 領域，依然存在著結構性的供應缺口，這些缺口將持續支撐記憶體價格強勁上揚。
在投資價值方面，大摩認為相關公司的 2028 年預估每股淨值（BVPS）已提供良好的下檔支撐。以中國 IC 設計廠兆易創新為例，其股價自6月29日的高峰美股840人民幣，大幅修正了 45.6%，已浮現估值支撐。此外，台灣記憶體製造廠（IDM）如旺宏、南亞科與華邦電，目前股價約落在 2028 年預估每股淨值的 1.5 倍、1.2 倍與 1.2 倍。
大摩指出，回顧歷史經驗，大中華區 IDM 廠的股價淨值比在 1.0 倍左右時，通常具有極強的下檔防禦力道。總結來說，成熟記憶體雖面臨市場短期雜音，但在合約需求與缺口支撐下，基本面與價格走勢依然強勁。
(首圖來源：pixabay)
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