整合電晶體和驅動元件,意法大幅提升 GaN 充電效率

作者 | 發布日期 2020 年 10 月 07 日 11:56 | 分類 晶片 , 會員專區 , 能源科技 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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整合電晶體和驅動元件,意法大幅提升 GaN 充電效率

為提升電源充電效率及消費性電子、工業充電器,以及電源轉接器的開發速度,意法半導體(ST)宣布首款嵌入矽基半橋驅動晶片和一對氮化鎵(GaN)電晶體的 MasterGaN 平台。MasterGaN 特點在於,是首個封裝整合矽基驅動晶片和 GaN 功率電晶體的解決方案,相較矽充電器和轉接器,其尺寸縮小80%,重量減輕70%,且充電速度提升 3 倍。

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