緊追美光之後，SK 海力士宣布推 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體
作者 | 發布日期 2020 年 12 月 07 日 18:15 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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緊追美光之後，SK 海力士宣布推 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體

根據南韓媒體 《ETnews》 的報導，緊追的美商記憶體廠美光科技 (Micron) 之後，南韓記憶體廠 SK 海力士也在 7 日正式發表 176 層堆疊的 512 Gb TLC 4D NAND Flash 快閃記憶體，也代表著 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體時代來臨。

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