韓國記憶體大廠 SK 海力士(SK Hynix)今 26 日公布 2016 年第四季財報,受惠於 2016 下半年 DRAM 的市況改善,營業利益比 2015 年同一時期大增 55.3% 至 1.5 兆韓圜,創下近兩年來最佳的成績,另外有傳聞指出東芝(Toshiba)近日將拆分半導體事業,並且處分 20% 的股權,SK 海力士也透露,該公司會密切注意這件事的進展。 繼續閱讀..
Category Archives: 記憶體
東芝 NAND 人人搶,美光也傳有興趣 |
| 作者 MoneyDJ|發布日期 2017 年 01 月 26 日 11:40 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件 |
東芝(Toshiba)以 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)為主軸的記憶體事業考慮分拆,接受外來企業入股,期望藉此彌補美國核電事業的鉅額虧損、改善財務體質。而東芝為全球第二大 NAND Flash 廠,其 NAND Flash 技術備受肯定,據悉目前已有高達約 10 家企業、基金對東芝計劃設立的半導體新公司感興趣,除 Canon、SK 海力士(SK Hynix)外,最新傳出連美國記憶體大廠美光(Micron)也想參一腳,東芝 NAND Flash 事業合作夥伴 Western Digital(WD)
則稱將採取行動確保利益。 繼續閱讀..
受惠處分華亞科股權收入 2016 年第 4 季南亞科每股大賺 7.33 元 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2017 年 01 月 25 日 16:12 | 分類 會員專區 , 記憶體 , 財經 |
記憶體大廠南亞科 25 日舉行法人說明會,並公布 2016 年第 4 季財報,由南亞科總經理李培瑛親自主持。根據財報顯示,受惠於 2016 年記憶體價格大幅成長,加上於處分華亞科股權給與美光的獲利影響,帶動南亞科 2016 年第 4 季營收來到新台幣 120.96 億元,較第 3 季增加 18.5%。而在業外處分利益的挹注下,稅後純益達 200.6 億元,每股 EPS 大幅提升到 7.33 元。2016 年全年歸屬母公司稅後純益為 237.09 億元,較 2015 年成長3 8.3%,每股 EPS 達到 8.66 元。
新應用加產能吃緊 NOR Flash 價格將逐季上揚 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2017 年 01 月 23 日 9:45 | 分類 手機 , 晶片 , 會員專區 |
自 2016 年開始醞釀的一波記憶體漲價潮,在標準型記憶體(DRAM)、儲存型快閃記憶體(NAND Flash)已經拉出一波漲價之後,編碼型快閃記憶體(NOR Flash)也跟隨著漲價。根據《經濟日報》的報導,國內生產 NOR Flash 的廠商華邦電與旺宏都表示,雖著需求量增大,產能吃緊的情況下,2017 年第 1 季的漲幅將達到 5% 到 7% 不等,而且夏季還可能有超過 10% 的漲價空間,而這也將是近 4 年多來 NOR Flash 的首次漲價。
半導體賺再多也補不了虧損!預期東芝核電事業損失高達 5,000 億日圓 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2017 年 01 月 19 日 15:30 | 分類 晶片 , 會員專區 , 核能 |
2016 年全球記憶體市況暢旺,價格不斷上漲,使得南韓電子大廠三星逃過了因 Galaxy Note 7 召回與停產的損失,最後面臨虧損的情況。不過,相同的事件似乎不能套用在同為半導體大廠的日本東芝 (Toshiba) 身上。因為,東芝旗下美國核電事業部所造成的虧損,最後形成東芝必須減資的情況。不但,吃掉了 2016 年度東芝因記憶體價格大漲的獲利,如今還必須求助金融單位與政府進行紓困,甚至切出半導體部門販售,才能渡過這次的財務危機。
智慧型手機功能升級商機無限 外媒點名大立光將直接受惠 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2017 年 01 月 18 日 17:10 | 分類 Apple , Samsung , 手機 |
根據《華爾街日報》的報導,在智慧型手機成長趨緩的情況下,包括相機鏡頭、記憶體等手機關鍵零組件的供應商,將會成為下一波贏家,其中三星、東芝(TOSHIBA)就是很好的例子。因為,儘管陷入 Galaxy Note 7 召回停產的困境,但是三星第 4 季淨利仍創下 3 年來的最高紀錄,這歸功於記憶體和螢幕的出色表現。而未來的智慧型手機需要利用更出色的功能來吸引用戶升級,例如雙鏡頭配置等。因此,鏡頭供應商大立光、圖像感測器供應商 SONY,3D NAND 快閃記憶體供應商三星、美光(Micron)等將因此而受惠。
中國先行試產出 40 奈米 ReRAM,進一步卡位記憶體市場 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2017 年 01 月 17 日 16:00 | 分類 晶片 , 會員專區 , 記憶體 |
近年來,中國政府為了達成在 2018 年晶片自給率的要求,正全面扶植中國半導體廠商。使得以紫光為代表的中國半導體企業,正在斥資數百億美元的資金,投入 NAND、DRAM 等記憶體產業的發展,期望在不久的將來能推出中國國產的 3D NAND 快閃記憶體。只是,在 NAND 記憶體的領域中,中國企業的發展已經晚了二十多年,對既有的台韓美等廠商起不了憾動作用。因此,就將希望放在新一代記憶體技術上。日前,中芯國際(SMIC)日前正式出樣 40 奈米製程的 ReRAM (非易失性阻變式存儲器)記憶體,就是一個明顯的例子。
中國記憶體國家隊豪言:2020 年追上世界級大廠 |
| 作者 TechNews|發布日期 2017 年 01 月 16 日 19:21 | 分類 記憶體 |
中國半導體國家隊紫光集團與武漢新芯在日前合併,組成長江存儲全力發展記憶體,其傾國家之力建設的國家記憶體基地也於 2016 年底動工,中國記憶體之路到底走到什麼境地?從前武漢新芯執行長、現任長江存儲執行長楊士寧參與技術論壇的言論,或能透露更多端倪。 繼續閱讀..



