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SK 海力士預測儲存未來:3D NAND 600 層以上,DRAM 10 奈米以下

作者 |發布日期 2021 年 03 月 30 日 7:45 | 分類 儲存設備 , 晶片 , 記憶體

最近 IEEE 國際可靠性物理研討會,SK 海力士分享近期和未來技術目標願景。SK 海力士認為,層數增加到 600 層以上,可繼續提高 3D NAND 容量。此外有信心借助極紫外(EUV)光刻技術將 DRAM 技術擴展到 10 奈米以下,以及將記憶體和邏輯晶片整合到同設備,以應付不斷增加的工作負載。 繼續閱讀..

疫情後宅經濟續延燒,5G 投資非首要之務

作者 |發布日期 2020 年 05 月 06 日 14:41 | 分類 網路

新型冠狀病毒大流行導致消費者緊縮荷包,衝擊各行各業。三星 (Samsung Electronics) 日前報告智慧手機銷售下跌將衝擊季度營收,金雞母儲存晶片也受到衝擊,還好遠距工作需求能夠彌補缺口,但是對原本如火如荼衝刺的 5G 業務則持悲觀看待,5G 設備製造商也認為疫情勢必延遲 5G 部署速度,市場認為,由於突如其來的上網需求,發展新技術對電信公司而言將不是首要之務。 
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