最近 IEEE 國際可靠性物理研討會,SK 海力士分享近期和未來技術目標願景。SK 海力士認為,層數增加到 600 層以上,可繼續提高 3D NAND 容量。此外有信心借助極紫外(EUV)光刻技術將 DRAM 技術擴展到 10 奈米以下,以及將記憶體和邏輯晶片整合到同設備,以應付不斷增加的工作負載。 繼續閱讀..
SK 海力士預測儲存未來:3D NAND 600 層以上,DRAM 10 奈米以下 |
作者 雷鋒網|發布日期 2021 年 03 月 30 日 7:45 | 分類 儲存設備 , 晶片 , 記憶體 |