最近 IEEE 國際可靠性物理研討會，SK 海力士分享近期和未來技術目標願景。SK 海力士認為，層數增加到 600 層以上，可繼續提高 3D NAND 容量。此外有信心借助極紫外（EUV）光刻技術將 DRAM 技術擴展到 10 奈米以下，以及將記憶體和邏輯晶片整合到同設備，以應付不斷增加的工作負載。 繼續閱讀..
SK 海力士預測儲存未來：3D NAND 600 層以上，DRAM 10 奈米以下 |
作者
雷鋒網|發布日期
2021 年 03 月 30 日 7:45 |
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