Tag Archives: 垂直傳輸場效應電晶體

能降低 85% 的能耗，IBM 和三星的新晶片設計為什麼這麼厲害？

作者雷鋒網|發布日期 2021 年 12 月 18 日 11:00 |

分類 IC 設計 , 晶片

IBM 和三星在半導體設計上再取得新進展！據兩家公司稱，他們研發出一種在晶片上垂直堆疊電晶體的新設計。而在之前的設計中，電晶體是被平放在半導體表面上的。繼續閱讀..

IBM 與三星合作發表 VTFET 晶片設計技術，預計突破 1 奈米製程瓶頸

作者 Atkinson|發布日期 2021 年 12 月 13 日 16:40 |

分類 IC 設計 , Samsung , 晶圓

外媒報導，美國加州舊金山舉辦的 IEDM 2021 藍色巨人 IBM 與南韓三星共同發表「垂直傳輸場效應電晶體」(VTFET) 晶片設計。將電晶體以垂直方式堆疊，並讓電流也垂直流通，使電晶體數量密度再次提高，更大幅提高電源使用效率，並突破 1 奈米製程的瓶頸。