IBM 與三星合作發表 VTFET 晶片設計技術,預計突破 1 奈米製程瓶頸 作者 Atkinson | 發布日期 2021 年 12 月 13 日 16:40 | 分類 IC 設計 , Samsung , 晶圓 | edit 外媒報導,美國加州舊金山舉辦的 IEDM 2021 藍色巨人 IBM 與南韓三星共同發表「垂直傳輸場效應電晶體」(VTFET) 晶片設計。將電晶體以垂直方式堆疊,並讓電流也垂直流通,使電晶體數量密度再次提高,更大幅提高電源使用效率,並突破 1 奈米製程的瓶頸。 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: IBM , VTFET , 三星 , 台積電 , 垂直傳輸場效應電晶體 , 埃米 , 英特爾