外媒報導，美國加州舊金山舉辦的 IEDM 2021 藍色巨人 IBM 與南韓三星共同發表「垂直傳輸場效應電晶體」(VTFET) 晶片設計。將電晶體以垂直方式堆疊，並讓電流也垂直流通，使電晶體數量密度再次提高，更大幅提高電源使用效率，並突破 1 奈米製程的瓶頸。
相較傳統將電晶體以水平放置，垂直傳輸場效應電晶體將能增加電晶體數量堆疊密度，並讓運算速度提升兩倍，同時藉電流垂直流通，使電力損耗在相同性能發揮下降低 85%。
IBM 和三星指出，此技術能在未來手機一次充電續航力就達一星期，可使某些耗能密集型任務如加密運算更省電，減少對環境的影響。不過 IBM 與三星尚未透露何時開始將垂直傳輸場效應電晶體設計應用於產品，但是市場人士預估，短時間內會有進一步消息。
相對 IBM 與三星技術成果發表，晶圓代工龍頭台積電也在 5 月宣布，與台灣大學、麻省理工學院共同研究，以鉍金屬特性突破 1 奈米製程極限，下探至 1 奈米以下。英特爾日前也公布製程發展布局，除了現有奈米級製程節點設計，接下來也會開始布局埃米等級製程，預計最快 2024 年進入 20A 製程節點。
(首圖來源：Flickr/Open Grid Scheduler / Grid Engine CC BY 2.0)
