Tag Archives: 埃米

英特爾追趕先進製程腳步，Intel 18A 提前至 2024 下半年試產
作者 |發布日期 2022 年 12 月 06 日 10:50 |
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分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片

處理器龍頭英特爾在 IEDM 2022（2022 IEEE 國際電子零件會議）展示最新技術藍圖時，表示保持快速步伐，不僅走在正軌，未來還要加速交貨。隨著不斷縮小的矽與物理量子效應衝擊，微縮製程越來越困難，後奈米時代積極發展下一節點製程──埃米製程。英特爾在埃米時代將使用 ASML 的 High NA EUV 設備生產，製造更先進製程晶片。

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蔚華科與衡陞科技宣布推出埃米級尺度探針，因應埃米時代來臨
作者 |發布日期 2022 年 09 月 07 日 13:30 |
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分類 半導體 , 材料、設備 , 零組件

半導體測試解決方案廠商蔚華科攜手奈米級金屬探針製造商衡陞科技 (MesoScope Technology) 共同宣布全新埃米維度尺度探針產品正式上市，埃米尺度探針及量測技術可用於解決新進製程發展阻礙，致力為半導體量測領域帶來全方位的解決方案。

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半導體先進製程爭霸戰，三雄勝負關鍵怎觀察？
作者 |發布日期 2022 年 06 月 30 日 14:45 |
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分類 半導體 , 晶圓

先進製程競賽打得火熱！據韓媒報導，三星 6 月 30 日宣布以 GAA（環繞式閘極結構）架構量產 3 奈米製程，超車台積電的意味鮮明。單就半導體先進製程三雄近期揭露的技術時程來看，三星在這場戰局似乎已有迎頭趕上之姿，不過，事實真是如此嗎？究竟，業內是如何看待這場戰局？未來又有什麼觀察重點呢？ 繼續閱讀..

半導體埃米時代生產利器，imec 展示最新 High-NA EUV 技術進展
作者 |發布日期 2022 年 04 月 27 日 10:40 |
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分類 IC 設計 , 晶圓 , 晶片

全球半導體技術研究重鎮的比利時微電子研究中心（imec），日前國際光學工程學會（SPIE）先進曝光微影成形技術會議，展示 High-NA（高數值孔徑）曝光技術的大進展，含顯影與蝕刻製程的開發、新興光阻劑與塗料測試、量測與光罩技術最佳化等。因 imec 與台積電、英特爾等國際大廠密切合作，業界預期先進製程 2025 年後進入埃米（angstorm）時代，High-NA 曝光技術將是關鍵。

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IBM 與三星合作發表 VTFET 晶片設計技術，預計突破 1 奈米製程瓶頸
作者 |發布日期 2021 年 12 月 13 日 16:40 |
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分類 IC 設計 , Samsung , 晶圓

外媒報導，美國加州舊金山舉辦的 IEDM 2021 藍色巨人 IBM 與南韓三星共同發表「垂直傳輸場效應電晶體」(VTFET) 晶片設計。將電晶體以垂直方式堆疊，並讓電流也垂直流通，使電晶體數量密度再次提高，更大幅提高電源使用效率，並突破 1 奈米製程的瓶頸。

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英特爾公布全新節點命名方式，加速部署全新製程與先進封裝
作者 |發布日期 2021 年 07 月 27 日 11:10 |
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分類 IC 設計 , 封裝測試 , 晶圓

處理器大廠英特爾（intel）27 日正式首次詳盡揭露製程與封裝技術最新藍圖，並宣布一系列半導體製程節點命名方式，為 2025 年之後產品注入動力。除首次發表全新電晶體架構 RibbonFET 外，尚有稱為 PowerVia 的業界首款背部供電方案。英特爾強調迅速轉往下一世代 EUV 工具的計畫，稱為高數值孔徑（High NA）EUV。英特爾有望獲得業界首款 High NA EUV 量產工具。

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