
處理器大廠英特爾(intel)27 日正式首次詳盡揭露製程與封裝技術最新藍圖,並宣布一系列半導體製程節點命名方式,為 2025 年之後產品注入動力。除首次發表全新電晶體架構 RibbonFET 外,尚有稱為 PowerVia 的業界首款背部供電方案。英特爾強調迅速轉往下一世代 EUV 工具的計畫,稱為高數值孔徑(High NA)EUV。英特爾有望獲得業界首款 High NA EUV 量產工具。
英特爾公布全新節點命名方式,加速部署全新製程與先進封裝 |
作者
Atkinson |
發布日期
2021 年 07 月 27 日 11:10 |
分類
IC 設計
, 封裝測試
, 晶圓
| edit
![]() ![]() ![]() ![]()
Loading...
Now Translating...
|
處理器大廠英特爾(intel)27 日正式首次詳盡揭露製程與封裝技術最新藍圖,並宣布一系列半導體製程節點命名方式,為 2025 年之後產品注入動力。除首次發表全新電晶體架構 RibbonFET 外,尚有稱為 PowerVia 的業界首款背部供電方案。英特爾強調迅速轉往下一世代 EUV 工具的計畫,稱為高數值孔徑(High NA)EUV。英特爾有望獲得業界首款 High NA EUV 量產工具。
文章看完覺得有幫助,何不給我們一個鼓勵