英特爾公布全新節點命名方式,加速部署全新製程與先進封裝 作者 Atkinson | 發布日期 2021 年 07 月 27 日 11:10 | 分類 IC 設計 , 封裝測試 , 晶圓 | edit 處理器大廠英特爾(intel)27 日正式首次詳盡揭露製程與封裝技術最新藍圖,並宣布一系列半導體製程節點命名方式,為 2025 年之後產品注入動力。除首次發表全新電晶體架構 RibbonFET 外,尚有稱為 PowerVia 的業界首款背部供電方案。英特爾強調迅速轉往下一世代 EUV 工具的計畫,稱為高數值孔徑(High NA)EUV。英特爾有望獲得業界首款 High NA EUV 量產工具。 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: 20A 埃米 , aws , IDM 2.0 , IFS , 埃米 , 晶圓代工 , 英特爾 , 高通