Tag Archives: 埃米

IBM 與三星合作發表 VTFET 晶片設計技術，預計突破 1 奈米製程瓶頸
作者 |發布日期 2021 年 12 月 13 日 16:40 |
line share
Linkedin share
line share
分類 IC 設計 , Samsung , 晶圓

外媒報導，美國加州舊金山舉辦的 IEDM 2021 藍色巨人 IBM 與南韓三星共同發表「垂直傳輸場效應電晶體」(VTFET) 晶片設計。將電晶體以垂直方式堆疊，並讓電流也垂直流通，使電晶體數量密度再次提高，更大幅提高電源使用效率，並突破 1 奈米製程的瓶頸。

繼續閱讀..

英特爾公布全新節點命名方式，加速部署全新製程與先進封裝
作者 |發布日期 2021 年 07 月 27 日 11:10 |
line share
Linkedin share
line share
分類 IC 設計 , 封裝測試 , 晶圓

處理器大廠英特爾（intel）27 日正式首次詳盡揭露製程與封裝技術最新藍圖，並宣布一系列半導體製程節點命名方式，為 2025 年之後產品注入動力。除首次發表全新電晶體架構 RibbonFET 外，尚有稱為 PowerVia 的業界首款背部供電方案。英特爾強調迅速轉往下一世代 EUV 工具的計畫，稱為高數值孔徑（High NA）EUV。英特爾有望獲得業界首款 High NA EUV 量產工具。

繼續閱讀..