Tag Archives: 美光

2017 年第四季 NAND Flash 供應商營收成長僅 6.8%，2018 年第一季續受傳統淡季影響
作者 |發布日期 2018 年 03 月 01 日 8:25 |
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分類 晶片 , 零組件

TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）表示，2017 年第四季各供應商持續進行 3D-NAND 的擴產及良率提升，然需求面僅靠智慧型手機旺季需求動能延續，因此，2017 年第四季合約價僅 eMMC / UFS 上漲 0-5%，其他部分如伺服器 / 資料中心、PC 及平板等需求力道減緩，合約價呈現持平，甚至出現小跌走勢，整體 NAND Flash 市場趨於供需平衡。 繼續閱讀..

中國發改委施壓三星，要求控制記憶體漲價並優先對中國企業供貨
作者 |發布日期 2018 年 02 月 26 日 11:15 |
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分類 Samsung , 國際貿易 , 手機

韓國媒體近日報導表示，中國發改委要求南韓記憶體廠商三星要控制記憶體價格的持續上漲，並且要優先公會給中國的相關廠商。2017 年底，中國智慧型手機廠商聯合舉報，對記憶體價格的連續上漲表示不滿之後，中國政府正式介入市場干預。

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受惠資料中心需求增溫帶動，2017 年第四季 Server DRAM 營收成長約 13.9%
作者 |發布日期 2018 年 02 月 21 日 14:10 |
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分類 Samsung , 晶片 , 零組件

根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查顯示，回顧 2017 年第四季，其中北美資料中心的需求持續強勁，即使原廠透過產品線調整，但仍無法有效紓解市場供給吃緊的狀況。Server DRAM 受惠平均零售價（Average Selling Price）的上揚，三大 DRAM 原廠 Server DRAM 營收季成長約 13.9%。 繼續閱讀..

2017 年 DRAM 整體產值年增 76%，估 2018 年成長率將逾三成
作者 |發布日期 2018 年 02 月 13 日 14:00 |
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分類 Samsung , 記憶體 , 零組件

根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMe Xchange）調查顯示，2017 年第四季 DRAM 產業營收表現再創歷史新高。價格方面來看，受行動式記憶體接棒漲價帶動，以及智慧型手機旗艦機種的旺季效應，以三星為首的 DRAM 廠拉抬行動式記憶體報價，帶動行動式記憶體在第四季有 5%~20% 不等的漲幅（取決於不同的容量），其餘各類 DRAM 產品合約價亦普遍較前季再上漲約 5%~10%。2017 年第四季 DRAM 產值較上季再成長 14.2%，全年產值成長率達 76%。 繼續閱讀..

美光宣布 QLC 快閃記憶體架構 SSD 將在 2018 年推出
作者 |發布日期 2018 年 02 月 13 日 12:10 |
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分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體

記憶體大廠美光 (Micron) 日前在英國倫敦的舉行的 A3 Technology Live Conference 上，揭露了許多新產品的發展計畫。其中之一就是將在 2018 年正式推出 QLC 快閃記憶體，預計新推出的 QLC 快閃記憶體將會真對資料中心的超大儲存需求而來，並且將衝擊當前為使用大宗的 TLC 快閃記憶體與傳統 HDD 硬碟的市場。

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競爭挖礦財，美光駁斥三星與海力士推出新 GDDR6 顯卡記憶體規格
作者 |發布日期 2018 年 01 月 25 日 16:10 |
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分類 GPU , Samsung , 會員專區

全球瀰漫挖礦商機，各大顯示卡廠全力搶攻顯示卡市場，用於高階顯卡記憶體的 GDDR 市場也跟著水漲船高，成為各家記憶體大廠的兵家必爭之地。日前兩家韓系記憶體大廠三星及 SK 海力士分別推出最新規格的 GDDR6 顯卡記憶體，另一家記憶體大廠美商美光（Micron）的動向格外讓人關注。面對兩家競爭對手陸續推出號稱最新規格的 GDDR6 顯卡記憶體，美光表示攤開規格來看，競爭對手推出的 GDDR6 顯卡記憶體，與美光目前大量出貨的 GDDR5x 顯卡記憶體幾乎相同，不要被名稱混淆了，比較規格後再說。

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新款顯卡搶 GDDR6 記憶體產能，DDR4 記憶體將轉單台廠供應鏈
作者 |發布日期 2018 年 01 月 22 日 11:30 |
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分類 國際貿易 , 晶片 , 會員專區

南韓兩家 DRAM 大廠──三星與 SK 海力士日前不約而同宣布量產 GDDR6 顯卡記憶體之後，2018 年市場渴望出現採用 GDDR6 記憶體的顯示卡，考慮到目前 GDDR6 記憶體還處於產能初期量產期，產能有限的情況下也只會出現在旗艦級顯示卡。市場分析師預估，因兩大 DRAM 競相爭奪用與於高階顯示卡的 GDDR6 記憶體，產能逐步轉移下，恐將造成 DDR4 等級的記憶體市場缺貨，也將有利其他廠商。

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聯電控告美光侵犯專利，求償新台幣 12.5 億元
作者 |發布日期 2018 年 01 月 12 日 15:45 |
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分類 國際貿易 , 晶片 , 會員專區

2017 年，記憶體大廠美光（Micron）因為發現離職員工涉嫌將美光 DRAM 技術洩露給晶圓代工廠聯電，並且運用於中國晉華公司，協助其 32 奈米 DRAM 相關製程技術開發，日前被台中地檢署依妨害《營業祕密法》為由，將涉嫌的 2 人及指使的聯電主管，以及聯電公司一併起訴後，聯電 12 日展開反擊，控訴美光侵犯多項專利，並求償 2.7 億人民幣（約 12.5 億台幣）。

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【CES 2018】美光旗下 Crucial 發表新一代 MX500 固態硬碟
作者 |發布日期 2018 年 01 月 12 日 0:10 |
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分類 市場動態 , 會員專區

記憶體大廠美光（Micron）旗下的固態硬碟（SSD）品牌 Crucial，宣布推出 Crucial MX500 SSD。這款全新固態硬碟採用第 2 代 Micron 3D NAND 技術，節能效率比一般硬碟優異 45 倍以上。2.5 吋及 M.2 尺寸的 MX500 分別提供高達 2TB 及 1TB 不同容量的選擇，且擁有高達 560/510 MB/s 的循序讀取 / 寫入速度及高達 95K/90K IOPS 的隨機讀取 / 寫入速度。

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DRAM 價格持續高檔，南亞科 2017 年 12 月營收創 8 年單月新高
作者 |發布日期 2018 年 01 月 10 日 17:40 |
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分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體

國內 DRAM 大廠南亞科 10 日公布 2017 年 12 月份的營收。資料顯示，南亞科受惠於記憶體供不應求，價格持續高漲的情況，2017 年 12 月份營收達新台幣 59.67 億元，較 11 月份成長 3.86%，創 8 年來的單月歷史新高。累計，2017 年第 4 季營收達 167.83 億元，較第 3 季的 132.93 億元增加 26.3%。

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美光與英特爾宣布將中止 NAND Flash 研發合作，2020 年影響浮現
作者 |發布日期 2018 年 01 月 10 日 14:20 |
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分類 晶片 , 零組件

美光與英特爾在 1 月 8 日宣布其 NAND Flash 合作夥伴關係將於完成第三代 3D-NAND Flash（96層）開發之後終止，各自研發未來的 NAND Flash 技術，以符合雙方品牌產品所需，並維持 Lehi 廠 3D XPoint 的合作關係。針對該項消息，TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）指出，由於 96 層 3D-NAND 直到 2019 年才逐漸成為主流，研判美光與英特爾拆分結盟的決議要到 2020 年後才會影響雙方產品的規畫與結構。 繼續閱讀..

NAND Flash 需求不退燒，東芝宣布興建第 7 座 NAND Flash 工廠
作者 |發布日期 2017 年 12 月 25 日 10:41 |
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分類 伺服器 , 國際貿易 , 晶片

2017 年是 NAND Flash 快閃記憶體廠商豐收的一年，零售價格的暴漲帶動了廠商的營收，同時還對獲利有了巨大貢獻。所以，當前全球的 4 大 NAND Flash 廠商，包括三星、Intel／美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來進行新一波的投資。而根據外電的報導，東芝就最新宣布，將拿出 70 億日圓的金額，準備興建第 7 座快閃記憶體工廠（Fab7），地點就在日本的四日市（Yokkaichi）。

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