Tag Archives: 銅─銅混合鍵合

銅─銅 Hybrid Bonding 或成次世代異質整合首選:看各式先進封裝技術演進

作者 |發布日期 2022 年 07 月 29 日 10:00 | 分類 半導體 , 封裝測試 , 晶圓

近幾年半導體封裝產業正發生典範轉移(Paradigm Shift),其技術演化趨勢正從傳統的 PCB 朝向 IC 製程靠近。而目前業界公認最有機會實現超越摩爾定律的兩大技術主軸,分別是採用 2.5D/3D 立體堆疊的「異質整合(HIDAS)」封裝、以及藉由矽中介層(Silicon Interposer)互連的「小晶片(Chiplet)模組化」架構。(本文出自國立陽明交通大學材料科學與工程學系陳智教授團隊,於閎康科技「科技新航道 | 合作專欄」介紹「3D IC 封裝:超高密度銅─銅異質接合」文稿,經科技新報修編為上下兩篇,此篇為下篇。) 繼續閱讀..

先進封裝技術再進化:超高密度銅─銅 Hybrid Bonding 為何值得期待?

作者 |發布日期 2022 年 07 月 29 日 9:59 | 分類 半導體 , 封裝測試 , 晶圓

過去 10 年全球資料運算量的發展已超越過去 40 年的總和,隨著消費性電子產品與車用晶片的需求日益提高,即便將電晶體尺寸微縮至逼近物理極限來提升效能,仍無法滿足未來產業應用。當摩爾定律來到極限,先進封裝整合能否成為突破關鍵?(本文出自國立陽明交通大學材料科學與工程學系陳智教授團隊,於閎康科技「科技新航道 | 合作專欄」介紹「3D IC 封裝:超高密度銅─銅異質接合」文稿,經科技新報修編為上下兩篇,此篇為上篇。) 繼續閱讀..