Tag Archives: 閘極全環

搶先一步導入 GAA 製程技術,三星要藉此彎道超車台積電

作者 |發布日期 2021 年 08 月 09 日 16:00 | 分類 晶圓 , 晶片 , 會員專區

外媒指出,因南韓三星 3 奈米先採用閘極全環電晶體(Gate-all-around,GAA)製程,龍頭台積電預計 2 奈米開始使用 GAA 製程,此提高晶片運算效能及降低功耗的技術,將成為先進半導體製程競爭的新戰場,也成為三星領先台積電的關鍵。

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好貨自己先用!韓媒:三星 3 奈米自家產品將先採用,再推廣客戶

作者 |發布日期 2021 年 07 月 14 日 16:00 | 分類 Samsung , 晶圓 , 晶片

南韓媒體報導,三星近期於中國上海半導體代工論壇,公布半導體代工業務藍圖,包括 2021 下半年推出第一代 4 奈米晶片、2022 年第二代 4 奈米晶片量產計畫,以及 2023 年第二代 3 奈米晶片量產計畫,卻未包含先前三星宣布 2022 年推出第一代 3 奈米晶片,引起市場人士猜測。

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