好貨自己先用!韓媒:三星 3 奈米自家產品將先採用,再推廣客戶

作者 | 發布日期 2021 年 07 月 14 日 16:00 | 分類 Samsung , 晶圓 , 晶片 Telegram share ! follow us in feedly


南韓媒體報導,三星近期於中國上海半導體代工論壇,公布半導體代工業務藍圖,包括 2021 下半年推出第一代 4 奈米晶片、2022 年第二代 4 奈米晶片量產計畫,以及 2023 年第二代 3 奈米晶片量產計畫,卻未包含先前三星宣布 2022 年推出第一代 3 奈米晶片,引起市場人士猜測。

《BusinessKorea》指出,三星半導體代工藍圖沒有公布第一代 3 奈米晶片計劃,一些南韓分析師指出,可能因三星計畫將 3 奈米製程用於自家設計的晶片,然後再用於客戶晶片。

三星先前表示,3 奈米製程晶片相較 5 奈米晶片,面積縮小 35%,但運算效能提高了 15%,電池能效提高 30%。全球最大晶圓代工廠台積電也在開發 3 奈米,目標是 2022 年進入量產。

三星預計 3 奈米製程技術採用閘極全環(Gate-All-Around,GAA)技術,而非傳統的鰭式場效電晶體(FinFET)技術。GAA 技術能將電晶體柵極和溝道的接觸面擴展到四個,與 FinFET 技術相比只增加一個邊接觸面提高電流效率。

美國電子設計自動化(EDA)公司新思科技(Synopsis)6 月宣佈,已與三星電子合作,成功達成以 GAA 技術 3 奈米晶圓流片(Tape Out)程序。晶圓流片是指晶圓設計完成開發,並將設計移交給製造商。進入此階段的三星,有望驗證後開始測試 3 奈米製程生產程序。

(首圖來源:Flickr/Jamie McCall CC BY 2.0)