南韓媒體報導，三星近期於中國上海半導體代工論壇，公布半導體代工業務藍圖，包括 2021 下半年推出第一代 4 奈米晶片、2022 年第二代 4 奈米晶片量產計畫，以及 2023 年第二代 3 奈米晶片量產計畫，卻未包含先前三星宣布 2022 年推出第一代 3 奈米晶片，引起市場人士猜測。
《BusinessKorea》指出，三星半導體代工藍圖沒有公布第一代 3 奈米晶片計劃，一些南韓分析師指出，可能因三星計畫將 3 奈米製程用於自家設計的晶片，然後再用於客戶晶片。
三星先前表示，3 奈米製程晶片相較 5 奈米晶片，面積縮小 35%，但運算效能提高了 15%，電池能效提高 30%。全球最大晶圓代工廠台積電也在開發 3 奈米，目標是 2022 年進入量產。
三星預計 3 奈米製程技術採用閘極全環（Gate-All-Around，GAA）技術，而非傳統的鰭式場效電晶體（FinFET）技術。GAA 技術能將電晶體柵極和溝道的接觸面擴展到四個，與 FinFET 技術相比只增加一個邊接觸面提高電流效率。
美國電子設計自動化（EDA）公司新思科技（Synopsis）6 月宣佈，已與三星電子合作，成功達成以 GAA 技術 3 奈米晶圓流片（Tape Out）程序。晶圓流片是指晶圓設計完成開發，並將設計移交給製造商。進入此階段的三星，有望驗證後開始測試 3 奈米製程生產程序。
（首圖來源：Flickr/Jamie McCall CC BY 2.0）
