搶先一步導入 GAA 製程技術,三星要藉此彎道超車台積電

作者 | 發布日期 2021 年 08 月 09 日 16:00 | 分類 晶圓 , 晶片 Telegram share ! follow us in feedly


外媒指出,因南韓三星 3 奈米先採用閘極全環電晶體(Gate-all-around,GAA)製程,龍頭台積電預計 2 奈米開始使用 GAA 製程,此提高晶片運算效能及降低功耗的技術,將成為先進半導體製程競爭的新戰場,也成為三星領先台積電的關鍵。

南韓媒體《BusinessKorea》報導,相較鰭式電晶體 (FinFET),GAA 是金屬閘極全面性包覆,為環狀結構,比 FinFET 金屬閘極只包覆 3 面來說,增加更多半導體電路,再以閘極包覆奈米線,提高電路控制和穩定性,提升晶片運算效能,並降低晶片功耗。

因 GAA 技術是半導體製程革新,因此被三星視為超車台積電的重要武器。報導指出,雖然就 3 奈米製程發展狀況,台積電開始與蘋果、英特爾合作 3 奈米製程測試,預計 2022 下半年量產,而三星 3 奈米製程最快要到 2022 年才會推出,正式量產時間則到 2023 年,仍舊落後台積電。英特爾目前還在 7 奈米製程,落後台積電與三星約一世代。

若從導入 GAA 製程角度來看,三星就可能超越台積電。原因是三星 2022 年就開始試產 3 奈米製程導入 GAA,但台積電要到 2023 年才開始由 2 奈米導入 GAA,更不用說英特爾 2024 年才採用改良自 GAA 製程技術的 RibbonFET 製程生產 2 奈米。三星進一步領先競爭對手,也有機會取得客戶青睞。

雖然市場第一個量產 3 奈米製程的頭銜將由台積電拿下,但先導入 GAA 製程技術是三星。透過 GAA 製程改變,三星預計可彎道超車台積電。

(首圖來源:Flickr/Jamie McCall CC BY 2.0)