搶先一步導入 GAA 製程技術,三星要藉此彎道超車台積電

作者 | 發布日期 2021 年 08 月 09 日 16:00 | 分類 晶圓 , 晶片 , 會員專區 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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搶先一步導入 GAA 製程技術,三星要藉此彎道超車台積電

外媒指出,因南韓三星 3 奈米先採用閘極全環電晶體(Gate-all-around,GAA)製程,龍頭台積電預計 2 奈米開始使用 GAA 製程,此提高晶片運算效能及降低功耗的技術,將成為先進半導體製程競爭的新戰場,也成為三星領先台積電的關鍵。

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