Tag Archives: 2016 Q1

DRAM 將掀「1x nm」大戰!三星搶 Q1 量產

作者 |發布日期 2015 年 12 月 30 日 15:42 | 分類 Samsung , 晶片 , 會員專區

日本總和情報網站 Gadget 速報 30 日轉述南韓科技媒體 ETNews 的報導指出,三星電子預估將在明年 Q1(2016 年 1-3 月)開始量產 1x-nano(18nm)DRAM 產品,且預估最遲也會在 Q2 量產。報導指出,三星開始量產 18nm DRAM 之後,有望藉此降低製造成本、提高獲利,而三星競爭對手南韓 SK Hynix 和美國美光(Micron)也預估將跟隨三星腳步於 2016 年內量產 1x nm 等級的 DRAM 產品,也宣布 DRAM 將進入「1x nm」大戰。

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東芝攜手 SanDisk 衝刺 3D Flash,2016 年 Q1 生產

作者 |發布日期 2015 年 10 月 21 日 14:30 | 分類 Samsung , 晶片 , 會員專區

南韓三星電子(Samsung Electronics)領先全球同業,於去年 10 月搶先量產 3D 架構的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)產品,而三星競爭對手東芝(Toshiba)目前除藉由 15nm 製程 NAND Flash 對抗三星 3D NAND Flash 產品之外,現在也將攜手 SanDisk 衝刺 3D NAND Flash,計劃於明年第 1 季(2016 年 1-3 月)開始生產 3D 產品。

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