Tag Archives: dram

力挺華邦電第三季轉虧為盈亮眼成績,小摩拉高目標價至 70 元

作者 |發布日期 2025 年 11 月 06 日 9:20 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片

記憶體大廠華邦電近期公布亮眼的第三季財報,大幅超出外資及市場的共識預期。根據外資小摩發出的最新研究報告指出,鑑於華邦電正受惠於強勁的記憶體週期,且對未來產能擴張深具信心,維持華邦電「加碼」投資評等,目標價從原先的 65 元上調至 70 元。

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華邦電看旺記憶體未來展望,陳沛銘指結構性缺口推升市場長線需求

作者 |發布日期 2025 年 11 月 05 日 16:00 | 分類 半導體 , 記憶體 , 財報

記憶體大廠華邦電總經理陳沛銘表示,受惠於終端需求復甦、新製程推進,以及記憶體市場因技術迭代帶來的結構性供需失衡,華邦電 DRAM(CMS)業務創下過去三年的新高點。公司對第四季(4Q)及未來長期的成長前景表示樂觀,預期營收、出貨量(Shipment)和平均銷售價格(ASP)都將迎來更大幅度的成長,並回歸到正常的成長軌道。

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記憶體缺貨潮!南亞科 10 月營收年增 262.37% 創 50 個月來新高紀錄

作者 |發布日期 2025 年 11 月 05 日 6:00 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 國際觀察

在當前 DDR4 市場供不應求,價格暴漲的情況下,記憶體大廠南亞科公布 10 月自結營收。其營收金額為新台幣 79.08 億元,較 9 月份增加 18.66%、較 2024 年同期則是大增 262.37%,為 50 個月以來新高紀錄。累計,2025 年前 10 月的營收金額達到 444.01 億元,較 2024 年同期成長 49.3%,也創下近 3 年新高紀錄。

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瑞銀指南亞科股價已反映記憶體利多,調降投資評等至中立

作者 |發布日期 2025 年 11 月 04 日 8:40 | 分類 半導體 , 記憶體 , 證券

近期因市場缺貨所造成的記憶體價格高漲情況,帶給國內記憶體類股股價暴漲的機會。南亞科股價一年內從低點每股新台幣 24.7 元,上漲到前一個交易日收盤價的 146.5 元,股價翻漲數倍之多,也成為檯面上投資人追逐的焦點之一。然而,對於這種熱門追逐的情況,市場似乎擔心有過度的情況。因此,就有外資在最新研究報告中調降其投資評等。

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AI 熱潮引爆三星暫停 DDR5 合約報價,結構性短缺衝擊全球 DRAM 市場失序

作者 |發布日期 2025 年 11 月 03 日 13:40 | 分類 AI 人工智慧 , Samsung , 半導體

AI 浪潮的強力席捲之下,全球記憶體市場正經歷一場史無前例的結構性供需失衡,其中 DRAM(動態隨機存取記憶體)的缺貨危機,已從市場預警升級為供應鏈的「斷糧」恐慌。這場危機的核心事件,是記憶體龍頭三星電子(Samsung Electronics)率先帶頭,於 10 月暫停了 DDR5 DRAM 的合約報價。此舉立即引發了 SK 海力士(SK Hynix)、美光(Micron)等其他原廠相繼跟進,導致供應鏈面臨嚴重的供貨中斷,迫使有急需的業者只能轉向現貨市場搶貨。

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SK 海力士擘劃全線 AI 記憶體創造者願景,公開未來技術藍圖發展

作者 |發布日期 2025 年 11 月 03 日 13:30 | 分類 AI 人工智慧 , IC 設計 , 半導體

在 AI 應用加速普及、資訊流量爆炸性成長的時代,半導體記憶體的重要性正迅速提升。韓國記憶體大廠 SK 海力士(SK hynix)執行長 Kwak Noh-Jung 於 11 月 3 日在首爾舉行的「SK AI Summit 2025」峰會上,發表了公司「全線 AI 記憶體創造者」(Full Stack AI Memory Creator)。的新願景,以在迎接下一個AI時代之前,SK 海力士能深化其角色。

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苟嘉章:推論應用對記憶體強勁需求是真的,AI 短期不會有泡沫化危機

作者 |發布日期 2025 年 11 月 01 日 18:00 | 分類 AI 人工智慧 , IC 設計 , 半導體

全球科技產業正經歷由人工智慧(AI)需求所引發的結構性劇變。對此,記憶體 IC 設計廠商慧榮科技總經理苟嘉章表示,由於 AI 訓練與推論(inference)需求的真實性與強度超乎預期,短期內 AI 產業絕不會出現泡沫化危機。

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慧榮苟嘉章:記憶體缺貨潮缺口翻倍龐大,供應難填補 2026 年還將持續

作者 |發布日期 2025 年 11 月 01 日 17:30 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 處理器

記憶體控制 IC 廠商慧榮總經理苟嘉章表示,根本性來自於人工智慧(AI)推論(AI Inference)需求的爆發性增長,進一步造成近期的記憶體大缺貨情況。與過去的短缺不同,此輪短缺並非單一因素或減產所致,而是涉及高頻寬記憶體(HBM)、NAND Flash 及硬碟(HDD)三大核心儲存與記憶體元件同時緊缺,形成強大的「拉扯性」需求。預計 2026 年情況會持續,2027 年目前還無法預測,其轉折的關鍵點在於其中的重複下單情況何時開始發酵。

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DRAM 供應吃緊推高 DDR5 合約價,2026 年獲利有望超越 HBM3e

作者 |發布日期 2025 年 10 月 29 日 16:24 | 分類 伺服器 , 記憶體 , 財經

TrendForce 最新調查,第四季伺服器 DRAM 合約價受惠於全球雲端供應商(CSP)擴充資料中心規模,漲勢轉強,帶動整體DRAM價格上揚。儘管第四季 DRAM 合約價未完整開出,供應商先前收到 CSP 加單需求後,調升報價的意願明顯提高。TrendForce 據此調整第四季一般型(conventional DRAM)價格預估,漲幅從 8%~13% 上修至 18%~23%,且極有可能再度上修。 繼續閱讀..

記憶體供不應求推升價格上漲,SK 海力士第三季營收創單季歷史新高

作者 |發布日期 2025 年 10 月 29 日 7:40 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

韓國記憶體大廠SK海力士發佈截至2025年9月30日的2025財年第三季財務報告。公司2025財年第三季營收為24.4489兆韓圜,較2024年同期成長39%。營業利益為11.3834兆韓圜,降2024年同期成長62%。淨利為12.5975兆韓圜,較2024年同期成長119%。2025財年第三季營業利潤率為47%,淨利潤率為52%。整體來說,表現合乎市場預期。

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三星宣布 NAND Flash 產線導入 FinFET 製程

作者 |發布日期 2025 年 10 月 23 日 13:50 | 分類 IC 設計 , Samsung , 半導體

三星電子近日宣布一項重大技術突破與未來願景,就是計劃將鰭式場效電晶體(FinFET)製程技術應用於 NAND Flash 快閃記憶體生產上。此動作被解讀為三星為因應人工智慧(AI)晶片組對更大容量 NAND Flash 快閃記憶體的需求所做的準備。不過,這項技術屬於未來技術,實際應用仍需一段時間。

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華邦電 9 月獲利年增 317.29%,EPS 達新台幣 0.26元

作者 |發布日期 2025 年 10 月 22 日 9:30 | 分類 半導體 , 記憶體 , 財報

記憶體廠華邦電因有價證券於集中交易市場達公布注意交易資訊標準,公布相關財務業務等重大訊息,以利投資人區別了解。華邦電 9 月份稅後淨利達新台幣 11.69 億元,較 2024 年同期增加 317.29%,每股稅後盈餘 0.26 元。加上 8 月已公告稅後淨利 7.22 億元、每股稅後盈餘 0.16 元,累計兩個月稅後淨利達 18.91 億元、每股稅後盈餘 0.42 元。

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