美光宣布執行長 Mark Durcan 即將退休，啟動接班程序 |
作者
liu milo|發布日期
2017 年 02 月 03 日 9:13 |
|
記憶體大廠美光（Micron）今 3 日宣布，公司執行長 Mark Durcan 即將退休，將啟動接班程序，然何時交棒還未有時間表。 繼續閱讀..
TechNews 科技早報 – 20170203 |
|
作者
technewsdaily|發布日期
2017 年 02 月 03 日 8:29 |
|
南亞科 20 奈米 1 月底試產
展望今年度，南亞科預估 DRAM 價格可望逐季走揚到第二季，全年因製程轉換，位元成長率約較去年衰退 6-9%，但因 ASP 走揚，故今年南亞科的本業獲利仍有機會較去年再成長… 繼續閱讀..
TechNews 科技早報 – 20170126 |
|
作者
technewsdaily|發布日期
2017 年 01 月 26 日 9:28 |
|
DRAM上半年樂觀 南亞科：逐季漲
動態隨機存取記憶體(DRAM)廠南亞科對今年上半年DRAM市況展望樂觀，總經理李培瑛預期，上半年DRAM價格可望逐季走揚… 繼續閱讀..
TechNews 科技早報 – 20170125 |
|
作者
technewsdaily|發布日期
2017 年 01 月 25 日 9:30 |
|
東芝NAND技術夯，傳SK海力士也擬入股
東芝（Toshiba）慘虧，將分拆旗下賺錢的半導體部門，成立新公司，賣股籌錢。由於東芝是全球NAND Flash二哥，各方都興趣濃厚。據傳南韓記憶體大廠SK海力士（SK Hynix）有意投資，藉此強化NAND Flash佈局… 繼續閱讀..
TechNews 科技早報 – 20170124 |
|
作者
technewsdaily|發布日期
2017 年 01 月 24 日 8:30 |
|
力成蔡笃恭：存储器再缺货半年
封测大厂力成董事长蔡笃恭解释，由于存储器原厂产销策略调整，加上制程转换良率问题，且从去年下半年以来，不论是 DRAM 或 NAND Flash 各种应用开始崛起，已不局限于 PC 或移动终端上，因此缺货问题将至少再持续半年… 繼續閱讀..
新應用加產能吃緊 NOR Flash 價格將逐季上揚 |
|
作者
Atkinson|發布日期
2017 年 01 月 23 日 9:45 |
|
自 2016 年開始醞釀的一波記憶體漲價潮，在標準型記憶體（DRAM）、儲存型快閃記憶體（NAND Flash）已經拉出一波漲價之後，編碼型快閃記憶體（NOR Flash）也跟隨著漲價。根據《經濟日報》的報導，國內生產 NOR Flash 的廠商華邦電與旺宏都表示，雖著需求量增大，產能吃緊的情況下，2017 年第 1 季的漲幅將達到 5% 到 7% 不等，而且夏季還可能有超過 10% 的漲價空間，而這也將是近 4 年多來 NOR Flash 的首次漲價。
TechNews 科技早報 – 20170123 |
|
作者
technewsdaily|發布日期
2017 年 01 月 23 日 8:30 |
|
三星去年第四季度盈利大漲 半導體成最大功臣
三星 Galaxy Note 7 爆炸事件令三星蒙受了巨大損失，但三星去年第四季度的業績預告顯示，三星依然實現了近 50% 的增長。三星公佈初步業績報告稱，公司 2016 年第四季度營收預計為 53 萬億韓元(約合… 繼續閱讀..
TechNews 科技早報 – 20170120 |
|
作者
technewsdaily|發布日期
2017 年 01 月 20 日 9:35 |
|
紫光、南京敲定半導體基地建設，擴張 3D NAND Flash 產能
中國紫光集團董事長趙偉國日前才透露，未來一年將再砸 460 億美元在中國成都、南京各建一座晶圓廠，而話才說沒多久，18 日紫光與南京市政府已就半導體產業基地項目正式簽約。18 日紫光集團與… 繼續閱讀..
TechNews 科技早報 – 20170119 |
|
作者
technewsdaily|發布日期
2017 年 01 月 19 日 9:33 |
|
環評過了 台積 5 奈米啟動
環保署環評大會昨（18）日通過攸關台積 5 奈米先進製程布局的南科環境差異影響評估案。台積電表示，此案通過讓台積 5 奈米製程基地有著落了，最快將在今年動工，目標在 2020 年量產，拉開和英特… 繼續閱讀..
TechNews 科技早報 – 20170118 |
|
作者
technewsdaily|發布日期
2017 年 01 月 18 日 9:39 |
|
東芝半導體事業將分拆、IPO？傳已找 WD 談入股事宜
日經新聞 18 日報導，東芝(Toshiba)考慮分拆包含快閃記憶體(Flash Memory)在內的半導體事業，且已與全球最大硬碟機(HDD)廠 Western Digital(WD)進行協商、有意讓WD入股分拆出來的半導體新… 繼續閱讀..
中國先行試產出 40 奈米 ReRAM，進一步卡位記憶體市場 |
|
作者
Atkinson|發布日期
2017 年 01 月 17 日 16:00 |
|
近年來，中國政府為了達成在 2018 年晶片自給率的要求，正全面扶植中國半導體廠商。使得以紫光為代表的中國半導體企業，正在斥資數百億美元的資金，投入 NAND、DRAM 等記憶體產業的發展，期望在不久的將來能推出中國國產的 3D NAND 快閃記憶體。只是，在 NAND 記憶體的領域中，中國企業的發展已經晚了二十多年，對既有的台韓美等廠商起不了憾動作用。因此，就將希望放在新一代記憶體技術上。日前，中芯國際（SMIC）日前正式出樣 40 奈米製程的 ReRAM （非易失性阻變式存儲器）記憶體，就是一個明顯的例子。
