Tag Archives: MBCFET

三星計劃 2 奈米製程加入背後供電技術，以領先台積電

作者 Atkinson|發布日期 2022 年 10 月 18 日 12:00 |

分類 Samsung , 半導體 , 晶圓

圖太小勿用圖太小勿用

與台積電競爭之路，三星大絕盡出。除了 3 奈米導入全新 GAAFET 全環繞柵極電晶體架構，已成功量產，照三星半導體藍圖分析，2025 年大規模量產 2 奈米，更先進 1.4 奈米預定 2027 年量產。

台積電 2 奈米 GAA 研發提前，三星彎道恐難超車

作者黃敬哲|發布日期 2020 年 09 月 21 日 8:58 |

分類晶圓 , 晶片 , 會員專區

消息指出，台積電 2 奈米製程研發，現已離開尋找路徑階段，進入交付研發，且法人預期 2023 年下半即可風險性試產。

三星推出 MBCFET 架構成為矚目焦點

作者拓墣產研|發布日期 2019 年 06 月 13 日 7:30 |

分類晶圓 , 晶片 , 會員專區

不出預料，三星（Samsung）在「 Samsung 晶圓代工論壇 2019 」以 3nm 產品為主打，最新的 MBCFET 架構成為眾所矚目焦點，此產品將在 2019 年最新建成的華城 EUV 專線上生產。除了最進階的技術值得關注外，Samsung 也提到 2019 年將順利推出 18FDS 服務以進軍 eMRAM 市場。