台積電 2 奈米 GAA 研發提前,三星彎道恐難超車

作者 | 發布日期 2020 年 09 月 21 日 8:58 | 分類 晶圓 , 晶片 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


消息指出,台積電 2 奈米製程研發,現已離開尋找路徑階段,進入交付研發,且法人預期 2023 年下半即可風險性試產。

台積電去年就成立 2 奈米專案研發團隊,在考量成本、設備相容、技術成熟及效能表現等多項條件下來尋找可行路徑,如今台積電雖然仍沒有公布細節,但已表示將會是全新架構。而據供應鏈消息透露,台積電 2 奈米即將改採全新的 GAA 基礎,使用多橋通道場效電晶體(MBCFET)架構。

這是由於 3 奈米已達 FinFET 技術的瓶頸,會出現製程微縮產生電流控制漏電的物理極限問題,就算有 EUV 技術加持,但 2 奈米勢必要轉換跑道。雖然三星提早在 3 奈米就打算採用 GAA ,意圖在此技術上彎道超車台積電,但台積電研發多年的奈米片(Nano Sheet)堆疊關鍵技術,及 EUV 運用經驗,將能使良率提升更順利。

所以不少法人預期,若 2 奈米在 2023 年即能投產,三星就算在彎道恐怕也超不了車。就目前台積電所公布的製程推進現況來看,採用 EUV 的 5 奈米良率已快速追上 7 奈米,顯見台積電在良率提升上的底蘊,甚至有業界人士預期風險試產良率即可到 9 成。三星雖提前量產 3 奈米 GAA,但在性能上未必能壓過台積電,而 GAA 良率上的落差可能也不會如預期般明顯,且據傳 2 奈米背後還有蘋果的研發能量支持。

不過未來半導體製程將會更加競爭,不僅是三星,英特爾的 SuperFin 技術也不可小覷,雖然奈米節點時程落後,但實際性能並不真的多差。早有輿論認為,台積電及三星的製程競逐,很多只是數字遊戲,而英特爾其實相對踏實,就實際電晶體密度等指標來看,新的英特爾 10 奈米強化版已接近台積電 5 奈米,是非常大的單一節點升級。

只要英特爾也敢忍痛殺價,SuperFin 仍然很有高階市場的競爭力,就如同三星 8 奈米已打出成績一般,台積電雖然還佔有優勢,但仍不能輕敵。目前台積電已表示,未來 2 奈米研發生產將落腳新竹寶山,將規劃建設 4 個超大型晶圓廠,將成為下一輪半導體大戰主力。

(首圖來源:科技新報)

延伸閱讀: