三星新 DRAM 考慮 MUF 技術,可能躍升主流 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 03 月 04 日 12:00 | 分類 IC 設計 , Samsung , 半導體 | edit 韓國媒體 TheElec 報導,三星正在考慮下代 DRAM 應用模壓填充(MUF)。三星最近測試 3D 堆疊 (3DS) 記憶體 MR MUF,與 TC NCF 相較傳輸量提升,但物理特性卻惡化。 繼續閱讀..
DRAM 價格已逐步復甦,南亞科力拚 2024 年能轉虧為盈 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 02 月 23 日 17:20 | 分類 半導體 , 記憶體 , 財報 | edit 記憶體大廠南亞科總經理李培瑛表示,DRAM 市場持續受到 AI 應用帶動 HBM 需求,加上 DDR4 轉換 DDR5,使得 2024 年的需求預期將逐步改善、價格呈現逐漸上漲的情況。不過,南亞科因為 DRAM 價格跌深的關係,雖然市場價格恢復上漲狀態,但南亞科要上半年由虧轉盈挑戰仍大。不過,公司仍以這個為目標,挑戰下半年能達成。 繼續閱讀..
美光宣布推出單片 32Gb DRAM 大容量 128GB RDIMM 作者 Atkinson|發布日期 2023 年 11 月 27 日 14:15 | 分類 半導體 , 晶片 , 記憶體 | edit 記憶體大廠美光宣布推出 128GB DDR5 RDIMM 記憶體,採用 32Gb 單片晶粒,以高達 8,000MT/s 的同類最佳效能支援當前和未來的資料中心工作,鞏固美光產業領導地位。 繼續閱讀..