荷蘭半導體製造設備商 ASM 台灣先藝科技技術副總裁 Glen Wilk 今(9 日)於 SEMICON Taiwan 2025 主題演講中提到,選擇性沉積(Area Selective Deposition)技術能有效解決先進製程中的挑戰,僅在指定位置沉積材料,有助提升製程良率、元件可靠性與整體效能,適用於 2 奈米及以下製程與異質整合、混合鍵合等先進封裝應用。
GAA、CFET 技術突破關鍵之一!ASM:磊晶技術成先進製程重要角色 |
| 作者 林 妤柔|發布日期 2025 年 09 月 09 日 21:36 | 分類 半導體 , 晶片 , 材料、設備 |



