Tag Archives: SK海力士

美國預計給予三星與 SK 海力士中國據點一年一審豁免
作者 |發布日期 2025 年 09 月 09 日 6:00 |
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分類 IC 設計 , 半導體 , 晶圓

根據彭博社的報導，美國提議對韓國三星電子、SK 海力士在中國的工廠購買美國設備與材料豁免採一年一審制。消息人士指這是一種折衷的方案，目的在防止全球電子產業受到干擾。之前，美國川普政府撤銷了自拜登時期開始，針對這兩家公司在中國據點的採購豁免，這豁免允許這兩家公司可以以更輕鬆的方式採購美國企業的相關設備與材料。

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台積電步上三星與 SK 海力士後塵，也遭川普撤銷中國南京廠採購豁免
作者 |發布日期 2025 年 09 月 02 日 22:20 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 晶圓

彭博社報導，美國商務部繼日前宣布撤銷韓國包括三星（Samsung）和 SK 海力士（SK Hynix）等記憶體製造商部分豁免，使中國生產據點無法取得更先進製造設備，影響產線更新與擴產後，美國官員已通知台積電，將終止中國南京廠同樣的「最終用戶驗證」(VEU) 身分，取消豁免，將來也無法取得更先進製造設備。

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輝達欲啟動 HBM 邏輯晶片自製加強掌控生態系，業者是否買單有待觀察
作者 |發布日期 2025 年 08 月 18 日 11:10 |
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分類 GPU , IC 設計 , 半導體

市場消息指出，繪圖晶片大廠輝達（NVIDIA）已啟動高頻寬記憶體（HBM）的邏輯晶片(Base Die)自行設計計畫。未來，無論所需的 HBM 要堆疊搭配何種品牌 DRAM 記憶體，其邏輯晶片都將採用輝達的自有設計方案。預計使用 3 奈米節點製程打造，最快將於 2027 年下半年開始試產。

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三星示警 HBM 市場出現價格下滑隱憂原因為何？
作者 |發布日期 2025 年 08 月 02 日 10:00 |
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分類 IC 設計 , Samsung , 半導體

韓國三星電子近日釋出市場警訊，暗示其最新一代高頻寬記憶體（HBM），即 HBM3E 產品的價格可能面臨下滑壓力。三星表示，因為當前市場供給成長速度預計將超越需求成長趨勢，導致供需關係發生變化。而市場分析也指出，除了整體市場供需預期轉變外，三星自身為推動 HBM3E 的 12 層堆疊產品給主要客戶，其所採取的積極價格策略，也被視為影響市場價格走勢的重要因素。

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讓競爭對手眼紅！AI 市場需求拉抬 SK 海力士第二季營收獲利均創新高
作者 |發布日期 2025 年 07 月 24 日 7:30 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 晶片

韓國記憶體大廠 SK 海力士 (SK Hynix) 發布截至 2025 年 6 月 30 日為止的第二季財報，營收金額為 22.232 兆韓圜，營業利益為 9.2129 兆韓圜，營業利潤率為 41%，淨利為 6.9962 兆韓圜，淨利率為 31%。SK 海力士表示，單季營收和營業利益均超越了 2024 年第四季最高業績表現，創下了單季業績新高紀錄。

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台積電擴大美國投資，造成韓國三星與 SK 海力士壓力
作者 |發布日期 2025 年 03 月 04 日 15:30 |
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分類 Samsung , 半導體 , 晶圓

韓國媒體報導，隨著全球第一大晶圓代工企業台積電宣布在美國大規模投資計畫，以順應川普總統上任以來不斷深化的「美國優先」政策，這將使得韓國三星電子、SK 海力士等半導體企業是否會採取與台積電同樣的策略，在此時備受關注。

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記憶體市場逆風將過，DRAM、NAND Flash 第二季起逐漸看到回穩
作者 |發布日期 2025 年 02 月 18 日 16:00 |
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分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片

2025 年第一季記憶體市場景氣循環向下態勢可望逐步結束，原因在於為避免價格的持續下滑，包括 DRAM 及 NAND Flash 的原廠陸續祭出減產策略，再加上通路去庫存化，以及補貼政策刺激產業景氣逐漸復甦的狀態下，預計接下來記憶體市場將有谷底回穩的情況。

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SK 海力士推出 PEB110 資料中心 SSD，2025 年第二季供貨
作者 |發布日期 2024 年 09 月 11 日 12:15 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

韓國記憶體大廠 SK 海力士宣布，成功開發適用於資料中心的高性能固態硬碟 PEB110 E1.S（PEB110）。SK 海力士表示，PEB110 採用第五代 PCIe，頻寬比現有第四代 (Gen4) 高一倍，數據傳輸速度達到 32 GT/s，另外在能耗效能上也提升 30% 以上。

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結合 N12FFC+ 和 N5 製程技術，台積電準備 HBM4 基礎晶片生產
作者 |發布日期 2024 年 05 月 17 日 9:45 |
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分類 IC 設計 , 半導體 , 封裝測試

針對當前 AI 市場的需求，預計新一代 HBM4 記憶體將與當前的 HBM 產品有幾項主要的變化，其中最重要的就是記憶體堆疊連結介面標準，將從原本就已經很寬的 1024 位元，進一步轉向倍增到超寬的 2048 位元，這使得 HBM4 記憶體堆疊連結將不再像往常一樣，晶片供應商將需要採用比現在更先進的封裝方法，來容納堆疊連結介面超寬的記憶體。

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HBM 市場升溫，中國長鑫存儲正購買設備計劃投入生產
作者 |發布日期 2024 年 02 月 05 日 7:00 |
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分類 IC 設計 , 中國觀察 , 半導體

近年來，高頻寬記憶體的市場需求急劇上升，尤其是隨著人工智慧（AI）熱潮的到來，讓這一趨勢愈加明顯。三星、SK 海力士和美光是 HBM 市場的三大供應商，目前都在開發新產品，特別是 HBM4 等下一代技術受到了業界的極大關注，其中 SK 海力士已宣布經在 2026 年開始生產 HBM4 產品，搶攻未來市場的主導地位。

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三星、SK 海力士獲美國無限期豁免！記憶體產能 2026 年恐大幅下滑
作者 |發布日期 2023 年 10 月 11 日 10:18 |
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分類 半導體 , 晶片 , 會員專區

南韓總統辦公室 9 日宣布，美國已根據美國出口管制法規，將三星電子和 SK 海力士在中國記憶體廠指定為「經過驗證的最終用戶」（validated end users，簡稱 VEU），因此能在其中國廠安裝美國製的半導體設備，無需經過美國批准。 繼續閱讀..