Tag Archives: SK海力士

台積電步上三星與 SK 海力士後塵，也遭川普撤銷中國南京廠採購豁免
作者 |發布日期 2025 年 09 月 02 日 22:20 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 晶圓

彭博社報導，美國商務部繼日前宣布撤銷韓國包括三星（Samsung）和 SK 海力士（SK Hynix）等記憶體製造商部分豁免，使中國生產據點無法取得更先進製造設備，影響產線更新與擴產後，美國官員已通知台積電，將終止中國南京廠同樣的「最終用戶驗證」(VEU) 身分，取消豁免，將來也無法取得更先進製造設備。

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輝達欲啟動 HBM 邏輯晶片自製加強掌控生態系，業者是否買單有待觀察
作者 |發布日期 2025 年 08 月 18 日 11:10 |
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分類 GPU , IC 設計 , 半導體

市場消息指出，繪圖晶片大廠輝達（NVIDIA）已啟動高頻寬記憶體（HBM）的邏輯晶片(Base Die)自行設計計畫。未來，無論所需的 HBM 要堆疊搭配何種品牌 DRAM 記憶體，其邏輯晶片都將採用輝達的自有設計方案。預計使用 3 奈米節點製程打造，最快將於 2027 年下半年開始試產。

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三星示警 HBM 市場出現價格下滑隱憂原因為何？
作者 |發布日期 2025 年 08 月 02 日 10:00 |
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分類 IC 設計 , Samsung , 半導體

韓國三星電子近日釋出市場警訊，暗示其最新一代高頻寬記憶體（HBM），即 HBM3E 產品的價格可能面臨下滑壓力。三星表示，因為當前市場供給成長速度預計將超越需求成長趨勢，導致供需關係發生變化。而市場分析也指出，除了整體市場供需預期轉變外，三星自身為推動 HBM3E 的 12 層堆疊產品給主要客戶，其所採取的積極價格策略，也被視為影響市場價格走勢的重要因素。

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讓競爭對手眼紅！AI 市場需求拉抬 SK 海力士第二季營收獲利均創新高
作者 |發布日期 2025 年 07 月 24 日 7:30 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 晶片

韓國記憶體大廠 SK 海力士 (SK Hynix) 發布截至 2025 年 6 月 30 日為止的第二季財報，營收金額為 22.232 兆韓圜，營業利益為 9.2129 兆韓圜，營業利潤率為 41%，淨利為 6.9962 兆韓圜，淨利率為 31%。SK 海力士表示，單季營收和營業利益均超越了 2024 年第四季最高業績表現，創下了單季業績新高紀錄。

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台積電擴大美國投資，造成韓國三星與 SK 海力士壓力
作者 |發布日期 2025 年 03 月 04 日 15:30 |
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分類 Samsung , 半導體 , 晶圓

韓國媒體報導，隨著全球第一大晶圓代工企業台積電宣布在美國大規模投資計畫，以順應川普總統上任以來不斷深化的「美國優先」政策，這將使得韓國三星電子、SK 海力士等半導體企業是否會採取與台積電同樣的策略，在此時備受關注。

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記憶體市場逆風將過，DRAM、NAND Flash 第二季起逐漸看到回穩
作者 |發布日期 2025 年 02 月 18 日 16:00 |
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分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片

2025 年第一季記憶體市場景氣循環向下態勢可望逐步結束，原因在於為避免價格的持續下滑，包括 DRAM 及 NAND Flash 的原廠陸續祭出減產策略，再加上通路去庫存化，以及補貼政策刺激產業景氣逐漸復甦的狀態下，預計接下來記憶體市場將有谷底回穩的情況。

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SK 海力士推出 PEB110 資料中心 SSD，2025 年第二季供貨
作者 |發布日期 2024 年 09 月 11 日 12:15 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

韓國記憶體大廠 SK 海力士宣布，成功開發適用於資料中心的高性能固態硬碟 PEB110 E1.S（PEB110）。SK 海力士表示，PEB110 採用第五代 PCIe，頻寬比現有第四代 (Gen4) 高一倍，數據傳輸速度達到 32 GT/s，另外在能耗效能上也提升 30% 以上。

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結合 N12FFC+ 和 N5 製程技術，台積電準備 HBM4 基礎晶片生產
作者 |發布日期 2024 年 05 月 17 日 9:45 |
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分類 IC 設計 , 半導體 , 封裝測試

針對當前 AI 市場的需求，預計新一代 HBM4 記憶體將與當前的 HBM 產品有幾項主要的變化，其中最重要的就是記憶體堆疊連結介面標準，將從原本就已經很寬的 1024 位元，進一步轉向倍增到超寬的 2048 位元，這使得 HBM4 記憶體堆疊連結將不再像往常一樣，晶片供應商將需要採用比現在更先進的封裝方法，來容納堆疊連結介面超寬的記憶體。

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HBM 市場升溫，中國長鑫存儲正購買設備計劃投入生產
作者 |發布日期 2024 年 02 月 05 日 7:00 |
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分類 IC 設計 , 中國觀察 , 半導體

近年來，高頻寬記憶體的市場需求急劇上升，尤其是隨著人工智慧（AI）熱潮的到來，讓這一趨勢愈加明顯。三星、SK 海力士和美光是 HBM 市場的三大供應商，目前都在開發新產品，特別是 HBM4 等下一代技術受到了業界的極大關注，其中 SK 海力士已宣布經在 2026 年開始生產 HBM4 產品，搶攻未來市場的主導地位。

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三星、SK 海力士獲美國無限期豁免！記憶體產能 2026 年恐大幅下滑
作者 |發布日期 2023 年 10 月 11 日 10:18 |
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分類 半導體 , 晶片 , 會員專區

南韓總統辦公室 9 日宣布，美國已根據美國出口管制法規，將三星電子和 SK 海力士在中國記憶體廠指定為「經過驗證的最終用戶」（validated end users，簡稱 VEU），因此能在其中國廠安裝美國製的半導體設備，無需經過美國批准。 繼續閱讀..

記憶體銷售拖油瓶，市場預計三星第三季獲利將下滑近 80%
作者 |發布日期 2023 年 10 月 11 日 8:50 |
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分類 IC 設計 , Samsung , 半導體

根據路透社報導，受到全球經濟不景與市場需求疲弱，導致半導體供應過剩的持續影響，三星在 2023 年第三季的獲利預計將較 2022 年同期下降 80%。而三星這家目前為全球最大記憶體、智慧型手機以及電視面板供應商，預計將在本週公布 2023 年第三季獲利結果。

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