Tag Archives: SK海力士

韓媒：三星考慮解散 1c DRAM 專案小組，良率未過半仍推進 HBM4 量產

作者蘇子芸|發布日期 2025 年 10 月 15 日 13:30 |

分類 AI 人工智慧 , Samsung , 半導體

根據朝鮮日報報導，三星電子內部正討論解散負責 1c DRAM 良率優化的專案小組（TF），將人力與資源全面轉向 HBM4 量產準備，力拚在年底前打入 NVIDIA 供應鏈，重奪高階記憶體市場的主導權。繼續閱讀..

美國對半導體設備出口管制，長江存儲市占止升回跌到 5% 以下

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 09 月 30 日 16:00 |

分類 IC 設計 , 中國觀察 , 半導體

中國 NAND Flash 快閃記憶體製造大廠長江存儲（YMTC）正遭遇其發展史上的重大挫折。根據市場消息，長江存儲在全球市場的占比在 2025 年第二季跌至 5% 以下，逆轉了之前多年持續成長的趨勢。

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曝光機需求優於預期，2027 年 ASML 將交貨 10 套 High-NA EUV 和 56 套 EUV

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 09 月 26 日 15:30 |

分類 IC 設計 , 半導體 , 晶圓

隨著人工智慧（AI）浪潮帶動了半導體產業的發展，投資機構對 ASML 產品的長期需求仍保持樂觀，因為這些 AI 半導體普遍採用最新的半導體製造技術。雖然不少半導體製造商都延後引入新一代 High-NA EUV。但是從整體來看，市場對曝光設備的需求仍處於上升趨勢。

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韓媒：SK 海力士啟動 1c GDDR7 量產計畫，明年全面擴供

作者蘇子芸|發布日期 2025 年 09 月 26 日 8:45 |

分類半導體 , 記憶體

SK 海力士已著手推進基於 10 奈米級第六代（1c）DRAM 的第七代圖形記憶體（GDDR7）生產，最快將於今年底在韓國利川 M16 廠開始量產，並於明年起全面擴大供應。業界預期，特斯拉與輝達（NVIDIA）將是首批客戶。繼續閱讀..

三星 V9 QLC NAND 商業化遭遇瓶頸，能否趕上 2026 年市場爆發引發關注

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 09 月 16 日 15:00 |

分類 AI 人工智慧 , IC 設計 , 半導體

根據 ZDNet Korea 的報導，儘管人工智慧（AI）產業蓬勃發展，對高容量儲存的需求日益攀升。不過，三星電子在推進其第 9 代（V9）QLC NAND Flash 商業化的進程中卻遭遇了顯著的技術瓶頸，這使得原定於 2024 年下半年啟動首次量產的計畫，現因性能問題而延期。目前三星公司正全力進行設計及製程端的改進工作，以應對日益成長的市場需求，並鞏固其在高附加值記憶體市場的地位。

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記憶體三大原廠齊聚 SEMICOM，韓廠更喊出要強化台韓進一步合作

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 09 月 10 日 18:10 |

分類半導體 , 晶片 , 記憶體

隨著生成式 AI 的爆炸性成長，記憶體不再僅是輔助元件，而是人工智慧智慧的起點與關鍵驅動者。因此，在 2025 Semicon Taiwan 的記憶體論壇上，難得的全球三大記憶體大廠 SK 海力士、三星和美光同台參與活動，並透過主題演講訴說當前重新定義記憶體在 AI 時代中角色的必要性，以共同面對 AI 基礎設施在效能、功耗和擴展性方面的嚴峻挑戰，並透過創新與合作，形塑 AI 的未來。

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美國預計給予三星與 SK 海力士中國據點一年一審豁免

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 09 月 09 日 6:00 |

分類 IC 設計 , 半導體 , 晶圓

根據彭博社的報導，美國提議對韓國三星電子、SK 海力士在中國的工廠購買美國設備與材料豁免採一年一審制。消息人士指這是一種折衷的方案，目的在防止全球電子產業受到干擾。之前，美國川普政府撤銷了自拜登時期開始，針對這兩家公司在中國據點的採購豁免，這豁免允許這兩家公司可以以更輕鬆的方式採購美國企業的相關設備與材料。

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台積電步上三星與 SK 海力士後塵，也遭川普撤銷中國南京廠採購豁免

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 09 月 02 日 22:20 |

分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 晶圓

彭博社報導，美國商務部繼日前宣布撤銷韓國包括三星（Samsung）和 SK 海力士（SK Hynix）等記憶體製造商部分豁免，使中國生產據點無法取得更先進製造設備，影響產線更新與擴產後，美國官員已通知台積電，將終止中國南京廠同樣的「最終用戶驗證」(VEU) 身分，取消豁免，將來也無法取得更先進製造設備。

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輝達欲啟動 HBM 邏輯晶片自製加強掌控生態系，業者是否買單有待觀察

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 08 月 18 日 11:10 |

分類 GPU , IC 設計 , 半導體

市場消息指出，繪圖晶片大廠輝達（NVIDIA）已啟動高頻寬記憶體（HBM）的邏輯晶片(Base Die)自行設計計畫。未來，無論所需的 HBM 要堆疊搭配何種品牌 DRAM 記憶體，其邏輯晶片都將採用輝達的自有設計方案。預計使用 3 奈米節點製程打造，最快將於 2027 年下半年開始試產。

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三星示警 HBM 市場出現價格下滑隱憂原因為何？

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 08 月 02 日 10:00 |

分類 IC 設計 , Samsung , 半導體

韓國三星電子近日釋出市場警訊，暗示其最新一代高頻寬記憶體（HBM），即 HBM3E 產品的價格可能面臨下滑壓力。三星表示，因為當前市場供給成長速度預計將超越需求成長趨勢，導致供需關係發生變化。而市場分析也指出，除了整體市場供需預期轉變外，三星自身為推動 HBM3E 的 12 層堆疊產品給主要客戶，其所採取的積極價格策略，也被視為影響市場價格走勢的重要因素。

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讓競爭對手眼紅！AI 市場需求拉抬 SK 海力士第二季營收獲利均創新高

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 07 月 24 日 7:30 |

分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 晶片

韓國記憶體大廠 SK 海力士 (SK Hynix) 發布截至 2025 年 6 月 30 日為止的第二季財報，營收金額為 22.232 兆韓圜，營業利益為 9.2129 兆韓圜，營業利潤率為 41%，淨利為 6.9962 兆韓圜，淨利率為 31%。SK 海力士表示，單季營收和營業利益均超越了 2024 年第四季最高業績表現，創下了單季業績新高紀錄。

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