DRAM 市況各界矚目。產業人士評估，DRAM 市況受到美中貿易戰與英特爾處理器兩大因素影響，預估明年第一季合約價恐季減 10%，明年第二季也有小幅影響。 繼續閱讀..
DRAM 受兩因素影響，2019 年第一季合約價恐季減 10% |
作者
中央社|發布日期
2018 年 12 月 17 日 13:30 |
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Tag Archives: SK 海力士
記憶體前景黯淡，三星、SK 海力士雙摔 2017 年低 |
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MoneyDJ|發布日期
2018 年 12 月 14 日 17:00 |
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中國多項經濟數據不如預期，中國是南韓最大貿易夥伴，此一消息衝擊市場，韓股開低走低，KOSPI 指數 14 日下跌 1.25%（26.17 點），收在 2,069.38 點，週 K 線走低 0.31%。 繼續閱讀..
DRAM 高速成長 2019 年恐喊卡，估反轉減 1% |
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作者
中央社|發布日期
2018 年 12 月 14 日 10:40 |
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動態隨機存取記憶體（DRAM）今年可望成長 39%，將是整個 IC 產業成長最快速的市場，不過，研調機構 IC Insights 預期，明年 DRAM 市場恐將轉為減少 1%。 繼續閱讀..
黃崇仁 : 年底市場不確定性解除，晉華案則是美國斷了中國 DRAM 發展 |
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作者
Atkinson|發布日期
2018 年 11 月 27 日 18:10 |
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力晶集團董事長黃崇仁表示，目前產業的不確定性將在 2018 年底 G20 高峰會後落底。全世界的產業將會根據 G20 所達成的共識做為目標，進行相關調整。因此，2019 年的景氣預計第 1 季將是谷底，之後逐漸回溫。至於，美國針對中國記憶體大廠福建晉華的制裁案，則是明確向中國表示，「就是不讓你發展 DRAM 產業」，未來福建晉華確定很難在 DRAM 繼續下去，且 DRAM 產業的景氣，也會因為福建晉華無法發展 DRAM 之後，2019 年逐步回復之前缺貨的狀況。
全球首款！SK 海力士成功研發 96 層 4D NAND，年內量產 |
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作者
MoneyDJ|發布日期
2018 年 11 月 05 日 13:00 |
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韓聯社、東亞日報日文版報導，南韓半導體大廠 SK 海力士（SK Hynix Inc.）於 4 日宣布，已成功研發出較現行 3D 架構 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）進一步進化的「4D NAND Flash」產品。SK 海力士表示，現行大多數廠商都在 3D NAND 上採用 CTF（Charge Trap Flash，電荷儲存式快閃記憶體），而 SK 海力士則是在 CTF 架構上追加「PUC（Peri Under Cell）」技術，研發出全球首款堆疊 96 層的 512Gb 3bit/cell（Triple Level Cel，TLC）4D NAND Flash 產品。 繼續閱讀..
