Tag Archives: SK 海力士

DRAM 市佔之爭白熱化,SK 海力士與美光降價急追三星

作者 |發布日期 2016 年 05 月 11 日 16:20 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件

根據市調機構集邦科技、IDC 的估計,今年(2016 年)第二季全球 DRAM 的位元出貨量成長率預料會達到 3-4%。然而,幾家 DRAM 大廠卻都一致預期,Q2 位元出貨量會有雙位數的成長率。分析人士認為,這顯意味著 DRAM 大廠打算去化庫存,而晶片價格也將因供給增加面臨壓力。

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三星 UFS2.0 打入蘋果記憶體供應鏈?可能是 iPhone 7 以後的事

作者 |發布日期 2016 年 04 月 20 日 16:33 | 分類 晶片 , 會員專區

三星在 2016 年 2 月,針對高階行動裝置推出 256 GB(byte) UFS 2.0 NAND Flash 記憶體模組,容量、速度速度比美 PC,而蘋果 iPhone 7 先前外傳容量將達到 256GB,與最新 UFS2.0 晶片容量不謀而合,iPhone  7 將採用三星 UFS2.0 的傳聞不脛而走,然知名科技網站 BGR 近期揭露,三星是準備重回蘋果 NAND Flash 供應鏈,但恐怕是明年的事。 繼續閱讀..

英特爾連 24 年穩居半導體龍頭,韓廠 2015 包辦第二、第三

作者 |發布日期 2016 年 04 月 06 日 18:36 | 分類 晶片 , 會員專區

調研機構 Gartner 5 日公布 2015 年全球半導體廠營收,受到需求放緩、匯率劇烈變動影響,總產值呈現下滑,然半導體老大哥英特爾,即便在接下來先進製程競逐,可能落後台積電與三星,2015 年仍穩坐半導體龍頭寶座,而兩大韓廠三星與 SK 海力士在該年度則分居二、三名。

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狠甩 SK 海力士、美光!三星 10 奈米 DRAM 量產,記憶體脫離 20 奈米世代

作者 |發布日期 2016 年 04 月 06 日 13:42 | 分類 晶片 , 會員專區

相較於 SK 海力士、美光在 2015 年年中 20 奈米才導入量產,加速 20 奈米製程轉換,在 2016 年才要進入 18/16 奈米製程競賽的同時,早已搶先導入 20 奈米的三星,現在直接丟出 10 奈米 8 Gb DDR4 DRAM 量產的震撼彈,意圖大幅甩開對手糾纏。

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三星悄瘦身,今年連 DRAM、NAND Flash 投資恐都砍半!

作者 |發布日期 2016 年 03 月 18 日 11:13 | 分類 Samsung , 晶片 , 會員專區

全球景氣不甚明朗,據近來韓媒報導,韓國商業巨擘三星似乎開始調整腳步,先前才有韓媒指出,三星旗下事業正在加速大規模的重組,員工人數銳減、研發費用與研發中心投入的規模,也來到金融海嘯以來的低點。17 日韓國時報(The Korea Times)再引用外資報告指出,三星今年 DRAM、NAND Flash 投資金額都將對半砍,相較幾個 NAND Flash 廠商加大投資,產業是否出現消長同樣值得關注。 繼續閱讀..

東芝押寶 3D Nand Flash 拚重生,要砸 3,600 億建廠擴產

作者 |發布日期 2016 年 03 月 17 日 13:34 | 分類 晶片 , 會員專區

日本電子巨人東芝在先前爆出財務醜聞之後,期望透過組織重整挺過危機,除了大裁 7,000 名員工、出售醫療事業等事業體,白色家電事業、PC 與半導體業務出售的傳聞同樣不斷,東芝才在 2015 年底將 CMOS 部門包含晶圓廠一併賣給 Sony,不過這不表示東芝放棄了半導體事業,官方 17 日宣布將在三年內投入 3,600 億日圓,建半導體廠,押寶 3D Nand Flash 拚再起。 繼續閱讀..