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2022 下半年將量產 8 吋基板,至 2025 年第三類功率半導體 CAGR 達 48%

作者 |發布日期 2022 年 03 月 10 日 13:55 | 分類 材料、設備 , 零組件 , 電動車

目前最具發展潛力的材料即為具備高功率及高頻率特性的寬能隙(Wide Band Gap,WBG)半導體,包含碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN),主要應用大宗為電動車、快充市場。據 TrendForce 研究推估,第三類功率半導體產值將從 2021 年的 9.8 億美元,至 2025 年將成長 CAGR 至 47.1 億美元,年複合成長率達 48%。

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搞懂第三代半導體與前兩代的差異關鍵,不同世代半導體的消長與共存

作者 |發布日期 2021 年 09 月 22 日 9:15 | 分類 IC 設計 , 封裝測試 , 晶圓

隨著全球進入 IoT、5G、綠能、電動車時代,能徹底展現耐高壓、高溫、高頻能耐,並滿足當前主流應用對高能源轉換效率要求的寬能隙(Wide Band Gap,WBG)半導體開始成為市場寵兒,半導體材料於焉揭開第三代半導體新紀元的序幕。  繼續閱讀..